Infineon präsentiert neue 750 V EDT2 IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse für diskrete Traktionswechselrichter

München – 3. März 2022 – Die Infineon Technologies AG bringt die neuen EDT2 IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse auf den Markt. Diese sind für diskrete Automotive-Traktionswechselrichter optimiert und erweitern das Portfolio von Infineon an diskreten Hochspannungsbauelementen für KFZ-Anwendungen. Aufgrund ihrer hohen Qualität erfüllen und übertreffen die IGBTs den Industriestandard AECQ101 für Automotive-Bauteile. Dadurch können die EDT2 IGBTs die Leistung und Zuverlässigkeit von Umrichtersystemen deutlich erhöhen. Mit dem Micro-Pattern-Trench-Field-Stop-Zellendesign für Automotive-Applikationen basieren die IGBTs auf einer Technologie, die bereits in mehreren Wechselrichtermodulen wie dem EasyPACK™ 2B EDT2 oder dem HybridPACK™ erfolgreich eingesetzt wird.

Wie für die Zielanwendungen erforderlich, ist die Produktfamilie kurzschlussfest. Darüber hinaus ist das TO247PLUS-Gehäuse für Wechselrichteranwendungen optimiert und bietet eine größere Kriechstrecke. Die EDT2-Technologie liefert eine Durchbruchspannung von 750 V, unterstützt Batteriespannungen bis zu 470 V _DC und bietet deutlich geringere Schalt- und Leitungsverluste.

Bei einer Temperatur von 100°C betragen die Nennströme der diskreten EDT2-IGBTs 120 A und 200 A, jeweils mit einer sehr niedrigen Durchlassspannung, wodurch die Leitungsverluste im Vergleich zur vorherigen Generation um bis zu 13 Prozent reduziert werden. Mit einem Nennstrom von 200 A ist der AIKQ200N75CP2 zudem der klassenbeste diskrete IGBT in einem TO247Plus-Gehäuse. Folglich werden für eine definierte Leistungsklasse weniger Bauelemente parallel benötigt, die Leistungsdichte steigt, und die Systemkosten sinken.

Darüber hinaus weisen die EDT2 IGBTs eine extrem enge Parameterverteilung auf. Die Differenz der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V _ce(sat)) zwischen typischen und maximalen Werten beträgt weniger als 200 mV und die Differenz der Gate-Schwellenspannung (V _GEth) liegt unter 750 mV. Außerdem ist der Wärmekoeffizient positiv. Dadurch wird ein einfacher Parallelbetrieb ermöglicht und die Flexibilität des Systems und die Skalierbarkeit der Leistung für Enddesigns gewährleistet. Die IGBTs bieten zusätzlich ein gleichmäßiges Schaltverhalten, eine niedrige Gate-Ladung (Q _G) und eine hohe Sperrschichttemperatur (T _vjop) von 175°C.

Verfügbarkeit

Der AIKQ120N75CP2 und der AIKQ200N75CP2 können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter AIKQ120N75CP2 und AIKQ200N75CP2.

Mehr Informationen zum Beitrag von Infineon im Bereich Energieeffizienz: www.infineon.com/green-energy