Infineon erweitert das PQFN 2x2 mm²-Produktportfolio mit OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs der Spitzenklasse

München, 26. Juli 2023 – Kleine Abmessungen von diskreten Leistungs-MOSFETs spielen eine entscheidende Rolle, um Platz zu sparen, Kosten zu senken und das Design von Anwendungen zu vereinfachen. Darüber hinaus kann eine höhere Leistungsdichte zu mehr Flexibilität beim Layout-Routing führen und die Gesamtgröße des Systems reduzieren. Durch die Erweiterung des aktuellen PQFN-2x2-Portfolios mit den neuen OptiMOS-Leistungs-MOSFETs bietet Infineon Benchmark-Lösungen, die Effizienz und Leistung auf kleinstem Raum vereinen. Die neuen Bauelemente eignen sich besonders für Anwendungen wie die synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen (SMPS) für Server, Telekommunikation, tragbare und drahtlose Ladegeräte. Weitere Anwendungen sind elektrische Drehzahlregler für kleine bürstenlose Motoren in Drohnen.

Die neuen Leistungs-MOSFETs OptiMOS 6 40 V und OptiMOS 5 25 V und 30 V optimieren die bewährte OptiMOS-Technologie für Hochleistungs-Designs weiter. Sie bieten modernste Silizium-Technologie, Gehäuse-Zuverlässigkeit und hervorragenden thermischen Widerstand (R _{thJC, max} = 3,2 K/W) in einem ultrakompakten 2x2 mm² PQFN-Gehäuse. Die neuen Bauelemente kombinieren den branchenweit niedrigsten Einschaltwiderstand R _DS(on) mit branchenführenden Leistungswerten (FOMs, Q _G und Q _OSS) für eine hervorragende dynamische Schaltleistung. Das Ergebnis sind MOSFETs mit extrem niedrigen Schalt- und Leitungsverlusten, die eine optimale Energieeffizienz und Leistungsdichte gewährleisten und gleichzeitig das Wärmemanagement vereinfachen.

Mit dem kompakten PQFN-Gehäuse (2x2 mm²) ermöglichen die OptiMOS-Leistungsschalter einen verbesserten Systemformfaktor mit kleineren, flexibleren geometrischen Konturen für Anwendungen im Consumer-Bereich. Die MOSFETs ermöglichen ein zuverlässiges Systemdesign, bei dem weniger Parallelisierung erforderlich sind, was den Platzbedarf und die Systemkosten erheblich reduziert.

Verfügbarkeit

Der neue OptiMOS 6 40-V-Leistungs-MOSFET (ISK057N04LM6) mit 5,7 mΩ R _DS(on) und die OptiMOS 5 25-V- (ISK024NE2LM5) und 30-V-Leistungs-MOSFETs (ISK036N03LM5) mit 2,4 mΩ bzw. 3,6 mΩ R _DS(on) sind im verbesserten PQFN 2x2 mm²-Gehäuse verfügbar und können ab sofort bestellt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/optimos-6-40v und www.infineon.com/pqfn-2x2.