Infineon präsentiert strahlungsfeste, für die Raumfahrt qualifizierte 1 und 2 Mb F-RAM Speicher mit paralleler Schnittstelle

München, 18. Juni 2024 –Für die Infineon Technologies AG sind Raumfahrtanwendungen ein wichtiges Feld. Die Produkte des Unternehmens kommen in Satelliten, Mars Rover Instrumenten und Weltraumteleskopen zum Einsatz, was höchste Zuverlässigkeit auch unter den widrigsten Bedingungen erfordert. Nun erweitert Infineon sein strahlungsfestes Speicherportfolio um die branchenweit ersten nichtflüchtigen 1 und 2 Mb ferroelektrischen RAM (F-RAM) Speicher mit paralleler Schnittstelle. Sie zeichnen sich durch hervorragende Zuverlässigkeit und Ausdauer aus, einschließlich bis zu 120 Jahren Datenhaltbarkeit bei 85 Grad Celsius sowie Random-Access und vollständigem Memory-Write bei Busgeschwindigkeiten.

Die F-RAM-Bauteile von Infineon sind von Haus aus strahlungsfest. Die Technologie eignet sich ideal für die wachsenden Anforderungen von Raumfahrtanwendungen, die bisher langsamere, weniger robuste EEPROM-Speicherbauteile verwendet haben. Im Vergleich zu alternativen Lösungen bieten die neuen Bauteile einen schnelleren Speicherzugriff, eine bessere Datensicherheit mit sofortiger nichtflüchtiger Schreibtechnologie und einen geringen Energiebedarf mit einer sehr niedrigen Programmierspannung von bis zu 2 V sowie einem maximalen Betriebsstrom von 20 mA.

„Immer mehr Raumfahrtanwendungen sind so konzipiert, dass sie Daten direkt im System und nicht über Telemetrie am Boden verarbeiten. Dadurch steigt die Nachfrage nach nichtflüchtigen Speichern mit höherer Zuverlässigkeit, die mit Space-Grade-Prozessoren und FPGAs zur effektiven Messwerterfassung zusammenarbeiten“, sagt Helmut Puchner, Vice President, Fellow Aerospace and Defense bei Infineon Technologies. „Infineon hat 2022 die ersten SPI F-RAM-Bauteile für diesen Markt vorgestellt. Die Erweiterung des Portfolios um Bauteile mit paralleler Schnittstelle unterstreicht unser Bestreben, erstklassige, hochzuverlässige und flexible Lösungen für die Anforderungen von Raumfahrtanwendungen der nächsten Generation zu liefern.“

Geeignete Anwendungen für die strahlungsfesten F-RAM-Bauteile von Infineon umfassen die Datenspeicherung für Sensoren und Instrumente, die Protokollierung von Kalibrierungsdaten, die sichere Schlüsselspeicherung für die Datenverschlüsselung und die Speicherung von Bootcode. Die F-RAM Speicher eignen sich nicht nur für die Raumfahrt, sondern auch für die Luftfahrt und weitere Anwendungen, die beim Temperaturbereich militärische Standards von -55°C bis 125°C erfordern.

Wie bei der SPI-Variante führt die chemische Zusammensetzung der neuen F-RAM-Bauteile mit paralleler Schnittstelle zu außergewöhnlichen nichtflüchtigen Speichereigenschaften, einschließlich der Momentanschaltung des atomaren Zustands anstelle einer eingefangenen Ladung zur Programmierung von Bits in EEPROM Technologien. F-RAM ist von Haus aus immun gegen Soft Errors und Magnetfeld- oder Strahlungseffekte. Für die Verwaltung der Page Grenzen ist keine Software erforderlich und die fast unendliche Ausdauer (10 ¹³ Schreibzyklen) bedeutet, dass kein Wear-Leveling notwendig ist.

Die parallelen, für QML-V qualifizierten Bauteile sind in einem 44-poligen Keramik-TSOP-Gehäuse untergebracht und haben eine hervorragende Strahlungsleistung von:

• TID: >150 Krad (Si)
• SEL: >96 MeV·cm²/mg @115°C
• SEU: Immun
• SEFI: <1,34 * 10-4 err/dev.day (active/standby) / Immun (Sleep Modus)

Verfügbarkeit

Das komplette Portfolio an nichtflüchtigen strahlungsfesten F-RAM Speichern, einschließlich 2 Mb SPI sowie 1 und 2 Mb paralleler Bauteile, ist ab sofort verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/1and2MbFRAM.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.600 Beschäftigte und erzielte im Geschäftsjahr 2023 (Ende September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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