Infineon präsentiert branchenweit ersten strahlungsfesten, QML-qualifizierten 512-Mb-NOR-Flash-Speicher für die Raumfahrt

München, 18. November 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt den branchenweit ersten strahlungsfesten 512-Mb-QSPI-NOR-Flash-Speicher für Anwendungen in der Raumfahrt und in extremen Umgebungen auf den Markt. Das neue Bauteil umfasst eine schnelle 4-fache serielle Peripherieschnittstelle mit 133 MHz sowie die höchste Speicherdichte, Strahlungs- und Einzelereignisleistung (Single-Event-Effects; SEE), die für nichtflüchtige Speicher mit QML-Qualifizierung für den Einsatz mit FPGAs und Mikroprozessoren in der Raumfahrt verfügbar sind.

Das Bauteil basiert auf der bewährten SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)-Charge-Gate-Trap-Technologie von Infineon und arbeitet bis zu 30 Prozent schneller als Alternativen mit geringerer Dichte. Der Speicher wurde zum Teil vom U.S. Air Force Research Laboratory, Space Vehicles Directorate (AFRL), finanziert und in enger Zusammenarbeit mit Microelectronics Research Development Corporation (Micro-RDC) entwickelt.

„Entwickler von Raumfahrtsystemen der nächsten Generation fordern hochzuverlässige Speicher mit hoher Speicherdichte. Durch die Zusammenarbeit mit Marktführern wie Infineon und Micro-RDC konnten wir eine Technologielösung entwickeln, die im Vergleich zu alternativen Produkten eine hohe Dichte und schnelle Datenraten mit einer herausragenden Strahlungsleistung kombiniert“, sagt Richard Marquez, AFRL Space Electronics Technology Program Manager.

„Der strahlungsfeste NOR-Flash-Speicher von Infineon ist eine ideale Ergänzung zu den Lösungen von Micro-RDC für extreme Anwendungsumgebungen“, sagt Joseph Cuchiaro, President von Micro-RDC. „Mit der Einführung von Bauteilen mit einer Speicherdichte von 512 Mb können Entwickler Systeme mit ausreichend hoher Leistung implementieren, um strenge Anforderungen in einem noch breiteren Spektrum von Einsatzprofilen zu erfüllen.“

„Mit der Einführung des 512-Mb-NOR-Flash-Speichers in das Rad-Hard-Memory-Portfolio unterstreicht Infineon einmal mehr sein Engagement, hochzuverlässige und leistungsstarke Speicher zu entwickeln, die alle Anforderungen künftiger Raumfahrt-Anwendungen erfüllen", sagt Helmut Puchner, Vice President, Fellow, Aerospace and Defense, Infineon Technologies. „Die Zusammenarbeit mit AFRL und Micro-RDC unterstützt Unternehmen dabei, Technologien zu entwickeln, die selbst den extremen Umgebungsbedingungen in der Raumfahrt standhalten und die Leistung entscheidender Satellitenfunktionen verbessern können.“

Die SONOS-Technologie von Infineon bietet eine hervorragende Kombination aus Speicherdichte und Geschwindigkeit. Zudem zeichnet sie sich durch ein erstklassiges Strahlungsverhalten aus, mit einer Lebensdauer von bis zu 10.000 P/E und einer Datenerhaltung von bis zu 10 Jahren. Die 133-MHz-QSPI-Schnittstelle bietet schnelle Datenübertragungsraten für Raumfahrt-qualifizierte FPGAs und Prozessoren. Ausgestattet mit einem keramischen QFP-Gehäuse (QML-V) benötigt das Bauteil nur eine Fläche von 25 mm x 25 mm auf der Leiterplatte, wobei ein noch kleineres Kunststoff-TQFP-Gehäuse (QML-P) mit 14 mm x 20 mm verfügbar ist. Darüber hinaus bietet der Speicher die dichteste TID/SEE- Leistungskombination für Space-FPGA-Bootcode-Lösungen. Das QML-V/P mit DLAM-Zertifizierung entspricht zudem den strengsten Industrieanforderungen.

Verfügbarkeit

Der neue 512-Mb-QML-qualifizierte NOR-Flash-Speicher von Infineon ist ab sofort verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter 512 Mb rad hard NOR Flash von Infineon.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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