CoolSiC™ Schottky Diode 2000 V ermöglicht höhere Effizienz und einfacheres Design in Zwischenkreis-Systemen bis zu 1500 VDC

München, 23. Oktober 2024 – Viele industrielle Anwendungen werden heute auf höhere Leistungsstufen mit minimierten Leistungsverlusten umgestellt. Erreicht werden kann das durch eine erhöhte Zwischenkreisspannung. Die Infineon Technologies AG begegnet dieser Herausforderung mit der Einführung der CoolSiC™ Schottky Diode 2000 V G5, der ersten diskreten Siliziumkarbid-Diode auf dem Markt mit einer Durchbruchspannung von 2000 V. Die Produktfamilie eignet sich für Anwendungen mit Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 VDC und bietet Nennströme von 10 bis 80 A. Damit ist sie ideal für Anwendungen mit höheren Zwischenkreisspannungen wie im Bereich Solar und beim Laden von Elektrofahrzeugen.

Die Produktfamilie wird in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit 14 mm Kriech- und 5,4 mm Luftstrecke geliefert. Zusammen mit Nennströmen von bis zu 80 A ermöglicht das eine deutlich höhere Leistungsdichte. Entwicklerinnen und Entwickler können so in ihren Anwendungen im Vergleich zu 1200-V-Lösungen mit nur der Hälfte der Komponenten höhere Leistungsstufen erreichen. Das vereinfacht das gesamte Design und ermöglicht einen reibungslosen Übergang von mehrstufigen zu zweistufigen Topologien.

Darüber hinaus nutzt die CoolSiC Schottky Diode 2000V G5 die .XT Interconnection-Technologie, die zu einem deutlich geringeren Wärmewiderstand und einer geringeren thermischen Impedanz führt und so ein besseres Wärmemanagement ermöglicht. Zudem wurde die Robustheit gegenüber Feuchtigkeit in Zuverlässigkeitstests gemäß HV-H3TRB nachgewiesen. Die Dioden weisen exzellentes Schaltverhalten auf, d.h. weder Sperr- noch Durchlassverzögerung, und zeichnen sich durch niedrige Durchlassspannung aus, was eine verbesserte Systemleistung gewährleistet.

Die 2000-V-Diodenfamilie passt perfekt zu den CoolSiC MOSFETs 2000 V im TO-247Plus-4 HCC-Gehäuse, die Infineon im Frühjahr 2024 eingeführt hat. Das Portfolio der CoolSiC Dioden 2000 V wird um Produkte im TO-247-2-Gehäuse erweitert, die ab Dezember 2024 erhältlich sein werden. Für die CoolSiC MOSFETs 2000 V ist auch ein passendes Gate-Treiber-Portfolio verfügbar.

Verfügbarkeit

Die CoolSiC Schottky Dioden 2000 V G5-Familie im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse ist ab sofort erhältlich. Ein Evaluierungsboard für die Produktfamilie ist ebenfalls verfügbar. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/CoolSiC-diode-2kV.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.600 Beschäftigte und erzielte im Geschäftsjahr 2023 (Ende September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert. Infineon wurde vom Rat für Formgebung mit dem German Brand Award als „Corporate Brand of the Year 2024“ ausgezeichnet.

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