Neue EiceDRIVER™ Power-Familie ermöglicht kompakte und kostengünstige Stromversorgungen für Gate-Treiber
München, 26. November 2024 – Die Infineon Technologies AG bringt die EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR-Familie auf den Markt, eine Familie an Vollbrückentransformator-Treibern für Stromversorgungen für IGBT-, SiC- und GaN-Gate-Treiber. Mit der 2EP1xxR-Familie erweitert Infineon ihr Portfolio an Leistungshalbleitern und stellt Entwickelnden damit eine Lösung für die Versorgung isolierter Gate-Treiber zur Verfügung. Mit den Bauteilen können asymmetrische Ausgangsspannungen implementiert werden, wodurch isolierte Gate-Treiber kostengünstig und platzsparend versorgt werden können. Damit eignet sich die 2EP1xxR-Bauteile ideal für Industrieanwendungen oder Anwendungen der Unterhaltungselektronik, die isolierte Gate-Treiber benötigen, darunter Solaranwendungen, das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme, Schweißarbeiten, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Antriebsanwendungen.
Die 2EP1xxR-Familie ist in einem kompakten TSSOP8-Pin-Gehäuse untergebracht, integriert die Leistungsendstufe, sowie Optimierungen zur Erzeugung einer asymmetrischen Ausgangsspannung. Die Produktfamilie ist dank ihrer einzigartigen Fähigkeit zur Anpassung des Tastverhältnisses für die asymmetrische Gate-Treiber-Versorgung optimiert. Die Bauteile unterstützen einen breiten Eingangsspannungsbereich von bis zu 20 V. Sie bieten außerdem einen integrierten Temperatur-, Kurzschluss- und Unterspannungsabschaltungsschutz (UVLO), wodurch unerwünschte Systemfehler vermieden werden.
Die 2EP1xxR-Familie ist in den folgenden vier Produktvarianten erhältlich: 2EP100R und 2EP101R sind für Designs mit geringer Bauteilanzahl für die Stromversorgung von IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treibern optimiert. 2EP110R ermöglicht eine Feineinstellung des Tastverhältnisses, um das Ausgangsspannungsverhältnis an die Anwendungsanforderungen von SiC- und GaN-Leistungsschaltern anzupassen. 2EP130R ist für hochflexible Designs optimiert, um unterschiedliche Anwendungsanforderungen zu erfüllen. Das Bauteil bietet einen 5-stufigen Überstromschutz, 41 wählbare Schaltfrequenzen oder Synchronisation mit externer PWM für die Transformatoranpassung und 41 wählbare Tastverhältnisoptionen zur Anpassung der Ausgangsspannung.
Verfügbarkeit
Alle vier Varianten der EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR-Familie sind ab sofort verfügbar. Weitere Informationen erhalten Sie hier.
Zusätzlich stehen die Evaluierungsplatinen EVAL-2EP130R-VD, EVAL-2EP130R-PR und EVAL-2EP130R-PR-SIC zur Unterstützung der Kundenbewertung zur Verfügung. Weitere Informationen zu den Evaluierungsplatinen erhalten Sie hier.
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.
Informationsnummer
INFGIP202411-029
Pressefotos
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Der Infineon 2EP100R ist für Designs von IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treiber-Stromversorgungen mit geringer Bauteilanzahl optimiert.EiceDRIVER_Power_2EP100R
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