Neue industrielle CoolSiC™ MOSFETs 650 V G2 in Q-DPAK- und TOLL-Gehäusen liefern eine verbesserte Leistungsdichte

München, 12. Februar 2025 – Die Elektronikindustrie durchläuft derzeit einen grundlegenden Wandel hin zu kompakteren und leistungsfähigeren Systemen. Um diesen Trend zu unterstützen und Innovationen auf Systemebene weiter voranzutreiben, erweitert die Infineon Technologies AG das Portfolio an diskreten CoolSiC™ MOSFETs 650 V um zwei neue Produktfamilien in Q-DPAK- und TOLL-Gehäusen.

Bei diesen vielfältigen Produktfamilien mit Ober- und Unterseitenkühlung handelt es sich um Bauteile der CoolSiC™ Generation 2 (G2), die sich durch eine deutlich verbesserte Leistung, Zuverlässigkeit und einfache Bedienung auszeichnen. Die Produktfamilien sind für Schaltnetzteile (Switched-mode Power Supplies; SMPS) mit hoher und mittlerer Leistung ausgelegt, darunter KI-Server, erneuerbare Energien, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, E-Mobilität und humanoide Roboter, Fernseher, Antriebe und Solid-State-Schutzschalter.

Das TOLL-Gehäuse bietet ein hervorragendes Temperaturwechselverhalten (Thermal Cycling on Board, TCoB) und ermöglicht kompakte Systemdesigns, da der Platzbedarf auf der Leiterplatte (PCB) reduziert wird. Bei Verwendung in Schaltnetzteilen können die Herstellungskosten auf Systemebene gesenkt werden. Das TOLL-Gehäuse ist zudem nun für eine erweiterte Liste von Zielanwendungen geeignet, sodass Leiterplattenentwickler die Kosten weiter senken und die Marktanforderungen besser erfüllen können.

Die Einführung des Q-DPAK-Gehäuses ergänzt die laufende Entwicklung der neuen Produktfamilie der oberseitengekühlten (Topside-Cooled; TSC) Produkte von Infineon, zu der CoolMOS™ 8, CoolSiC™, CoolGaN™ und OptiMOS™ gehören. Mit der TSC-Familie können Kunden eine exzellente Robustheit bei maximaler Leistungsdichte und Systemeffizienz zu niedrigen Kosten erreichen. Sie ermöglicht außerdem eine direkte Wärmeableitung von 95 Prozent, sodass beide Seiten der Leiterplatte genutzt werden können, wodurch der Platzbedarf optimiert und parasitäre Effekte reduziert werden.

Verfügbarkeit

Die CoolSiC™ MOSFETs 650 V G2 in TOLL sind mit einem R _DS(on) von 10 bis 60 mΩ erhältlich, während die Q-DPAK-Variante mit 7, 10, 15 und 20 mΩ verfügbar ist. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-g2.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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