CoolGaN™ G3-Transistor in neuen Gehäusen mit Silizium-Footprint treibt industrieweite Standardisierung voran

München, 18. Februar 2025 – Für die Leistungselektronik spielt die Galliumnitrid-Technologie (GaN) eine entscheidende Rolle, um höchste Leistungsniveaus zu erreichen. Bisher haben die GaN-Lieferanten jedoch unterschiedliche Ansätze bei den Gehäusetypen und -größen verfolgt, was zu einer Fragmentierung auf dem Markt und einem Mangel an Footprint-kompatiblen Alternativen für Kunden geführt hat. Um diese Herausforderung zu bewältigen, präsentiert die Infineon Technologies AG den leistungsstarken Galliumnitrid-Transistor CoolGaN™ G3 mit 100 V im RQFN-5x6-Gehäuse (IGD015S10S1) und 80 V im RQFN-3,3x3,3-Gehäuse (IGE033S08S1).

„Die neuen Bauteile sind mit branchenüblichen Silizium-MOSFET-Gehäusen kompatibel. Somit erfüllen sie die Forderung der Kunden nach einem standardisierten Footprint, einer einfacheren Handhabung und einer schnelleren Markteinführung“, sagt Dr. Antoine Jalabert, Produktlinienleiter für Mittel-Volt GaN bei Infineon.

Die CoolGaN G3 100-V-Transistoren werden in einem 5x6 RQFN-Gehäuse mit einem typischen Einschaltwiderstand von 1,1 mΩ erhältlich sein. Zusätzlich wird der 80-V-Transistor in einem 3,3x3,3-RQFN-Gehäuse mit einem typischen Widerstand von 2,3 mΩ verfügbar sein. Damit bieten die neuen Transistoren erstmals ein Footprint-Design, das eine einfache Multi-Sourcing-Strategie sowie komplementäre Layouts zu siliziumbasierten Designs ermöglicht. In Kombination mit GaN sorgen die neuen Gehäuse für eine niederohmige Verbindung und geringe parasitäre Effekte, wodurch eine hohe Transistorleistung ohne Änderung der Grundfläche erreicht wird.

Darüber hinaus ermöglicht diese Kombination aus Chip und Gehäuse eine hohe Robustheit gegenüber Temperaturschwankungen sowie eine verbesserte Wärmeleitfähigkeit, da die Wärme aufgrund der größeren freiliegenden Oberfläche und der höheren Kupferdichte besser verteilt und abgeführt wird.

Verfügbarkeit

Muster der GaN-Transistoren IGE033S08S1 und IGD015S10S1 in RQFN-Gehäusen werden im April 2025 verfügbar sein. Weitere Informationen sind hier erhältlich.

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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