Infineon treibt Dekarbonisierung mit nächster Generation von Siliziumkarbid-Technologie (CoolSiC™ MOSFET G2) für Power-Systeme weiter voran

München, Deutschland – 5. März 2024 – Die Infineon Technologies AG schlägt ein neues Kapitel in der Leistungs- und Energieumwandlung auf und stellt die nächste Generation der Siliziumkarbid (SiC) MOSFET-Trench-Technologie vor. Die neue Infineon CoolSiC™ MOSFET 650 V und 1200 V Generation 2 verbessert die Leistungskennzahlen von MOSFETs wie Speicherladung und Verlustenergien um mehr als 20 Prozent ohne dabei die Qualität und Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen. Die Technologie ermöglicht eine höhere Gesamtenergieeffizienz und treibt die Dekarbonisierung weiter voran.

Die CoolSiC MOSFET-Technologie der zweiten Generation (G2) steigert konkret die Leistungsfähigkeit von Siliziumkarbid, indem sie weniger Energieverluste und damit einen höheren Wirkungsgrad bei der Leistungsumwandlung ermöglicht. Hier bieten sich Vorteile für Kunden in verschiedenen Halbleiteranwendungen wie Photovoltaik, Energiespeicherung, EV-Laden, Motorantriebe und industrielle Stromversorgung.

Eine Gleichstrom (DC)-Schnellladestation für Elektrofahrzeuge, die mit CoolSiC G2 ausgestattet ist, erleidet beispielsweise bis zu zehn Prozent weniger Leistungsverluste im Vergleich zu früheren Generationen und erzielt eine höhere Ladekapazität bei gleichbleibenden Größenverhältnissen. Durch den Einsatz von Traktionswechselrichtern, die auf CoolSiC G2-Geräten basieren, kann die Reichweite eines Elektrofahrzeugs weiter erhöht werden. Im Bereich der erneuerbaren Energien bieten Solarwechselrichter mit CoolSiC G2 kleinere Abmessungen bei gleichbleibend hoher Leistung, was zu niedrigeren Kosten pro Watt führt.

„Megatrends verlangen nach neuen und effizienten Wegen, Energie zu erzeugen, zu übertragen und zu verbrauchen. Mit dem CoolSiC MOSFET G2 hat Infineon ein neues Leistungsniveau bei Siliziumkarbid erreicht“, sagt Dr. Peter Wawer, Divisionspräsident Green Industrial Power bei Infineon. „Die neue Generation ermöglicht ein schnelles Design von kostenoptimierten, kompakten, zuverlässigen und hocheffizienten Systemen, die bei jedem Watt installierter Leistung Energieeinsparungen ermöglichen und letztlich CO ₂-Emissionen senken.

CoolSiC MOSFET G2 stellt den starken Innovationsgeist von Infineon unter Beweis, mit dem wir Dekarbonisierung und Digitalisierung in den Bereichen Industrie, Verbraucher und Automobil stets weiter vorantreiben.“

Die fortschrittliche Trench-Technologie von Infineon trägt zusätzlich zu der leistungsstarken Performance von CoolSiC G2-Lösungen bei und bietet einen optimierten Design-Kompromiss, der im Vergleich zu branchenüblichen SiC-MOSFETs eine höhere Effizienz und Zuverlässigkeit ermöglicht. In Kombination mit der prämierten .XT-Gehäusetechnologie steigert Infineon das Potenzial von CoolSiC G2-basierten Designs mit höherer Wärmeleitfähigkeit, besserer Montagekontrolle und Leistung noch weiter.

Infineon beherrscht alle relevanten Energietechnologien in Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid (GaN) und bietet Designflexibilität und führendes Anwendungs-Know-how, das die Erwartungen und Anforderungen moderner Designer erfüllt. Innovative Halbleiter auf Basis von Wide-Bandgap (WGB)-Materialien wie SiC und GaN sind der Schlüssel zu einer bewussten und effizienten Energienutzung, die die Dekarbonisierung vorantreibt.

Registrieren Sie sich für das Online-Medienbriefing von Infineon zu CoolSiC MOSFET G2 am 5. März, 10 Uhr MEZ.

Erfahren Sie mehr über das „Wide-Bandgap Developer Forum 2024“ von Infineon am 16. April.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power-Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.600 Beschäftigte und erzielte im Geschäftsjahr 2023 (Ende September) einen Umsatz von rund 16,3 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com

Diese Presseinformation finden Sie online unter www.infineon.com/presse

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