Power
Technology for optimizing power generation, transmission, and consumption
Power Unterkategorien
Alle Unterkategorien schließen Alle Unterkategorien anzeigen- MOSFET (Si/SiC)
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- Linear Voltage Regulator (LDO)
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- LED Driver ICs
- Diode & Thyristor (Si/SiC)
- Gate Driver ICs
With the introduction of gallium nitride, Infineon is currently the only company in the market offering a full-spectrum portfolio of all power technologies – silicon (Si), silicon carbide (SiC) and GaN. We deliver solutions from microamps to megawatts with superior energy efficiency, offering highly reliable IGBTs, power MOSFETs, GaN e-mode HEMTs, power discretes, protected switches, Si drivers, GaN drivers, IGBT modules, intelligent power modules (IPMs), linear regulators, motor control solutions, LED drivers, and all forms of AC-DC, DC-DC, and digital power conversion.
Please contact Infineon technical support when you need a superior solution for your power management applications.
![650V-CoolMOS](/export/sites/default/_images/product/power/Product_image_TO247_650V-CoolMOS_C7.jpg_45004101.jpg)
Infineon‘s MOSFET portfolio offers Automotive MOSFETs, Power MOSFETs and RF MOSFETs. OptiMOS™ for Automotive applications combines leading MOSFET technology with a robust packages to deliver best-in-class performance and outstanding current capacity. In power applications, OptiMOS™ 20V-250V consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit. The revolutionary CoolMOS™ power families 500V-900V set new standards in the field of Energy Efficiency and offer a significant reduction of conduction and switching losses, enabling high power density and efficiency for superior power conversion systems
![IGBT-Modules](/export/sites/default/_images/product/power/Productgroup-IGBT-Modules.jpg_951475058.jpg)
Infineon offers a comprehensive portfolio of technology leading IGBT Bare Dies, Discretes, Modules and even complete Stacks. This enables us to offer reliable and high efficient solutions for your industrial applications like e.g. General Purpose Inverters, Solar and Wind Inverter, UPS, Welding, Induction Heating and SMPS systems. We also recommend to use our IGBTs in consumer applications like Rice Cookers, Microwave and induction cooking ovens or even airconditioning systems. Discrete Automotive IGBTs and also Modules can be used in applications such as Piezo Injection, HID Lighting, Pumps and Small Drives.
![CoolSIC_MOSFET](/export/sites/default/_images/product/power/Product_image_1200V_CoolSIC_MOSFET_TO247-4-1.jpg_45004101.jpg)
SiC devices offer a number of attractive charcteristics for high voltage power semiconductors when compared to commonly used Silicon (Si). Infineon‘s CoolSiC™ Schottky diodes ranging from 600V-1200V improve efficiency and solution costs for applications such as Server, Telecom Solar, Lighting, Consumer, PC Power and AC/DC. The revolutionary CoolSiC™ 1200V SiC JFET family, in combination with the proposed Direct Drive Technology, represents Infineon’s leading edge solution to bring actual designs towards new and so far unattainable efficiency levels. Also available: High efficient IGBT power modules with SiC freewheeling diodes.
![gallium-nitride-gan-emode-HEMTs](/export/sites/default/_images/product/power/CoolGaN/Infineon-packages-gallium-nitride-gan-emode-HEMTs-600V-400V.jpg_11330680.jpg)
Gallium nitride (GaN) is a wide band gap (WBG) material and permits devices to operate at much higher frequencies and temperatures than conventional semiconductor materials like silicon. Infineon’s CoolGaN™ gallium nitride solution is based on the most robust and performing concept in the market – the enhancement-mode (e-mode) concept, offering fast turn-on and turn-off speed. CoolGaN™ HEMTs offer the highest quality and reliability well beyond the standards and enable performance improvement in several applications such as server, telecom, wireless charging, adapter and charger, and audio. Click here to learn more
![Gate Drivers](/export/sites/default/_images/product/power/Product_image_SOIC-8.jpg_148935309.jpg)
Low and high voltage gate driver IC and board solutions for reliable and efficient controls for IGBTs and MOSFETs. Infineon‘ s DC-DC low voltage gate driver are high speed drivers for dual Power MOSFETs in applications such as Computing and Telecom Point of Load, tailoring the efficiency of the system based on the designer‘s conditions and needs. Please also find our high perfomance Isolated Gate Driver ICs & boards (EiceDRIVER™) for either CoolMOS™ MOSFETs and IGBT Discretes or even Modules for most industrial applications.
Top 6 FAQs. Nutzen Sie die obenstehende Suchleiste für mehr Treffer.
Simulation Parameter/SPICE-Modelle
Bitte besuchen Sie unseren Simulations Model Finder im Internet unter
https://www.infineon.com/simulation
Bitte wählen Sie dort "Simulation Models (SPICE, S-parameters, SABER)" aus.
Sollten Sie Ihr gesuchtes Model dort nicht finden können, stellen Sie bitte Ihre Anfrage über den Button "click to request model" auf der rechten Seite.
Infineon verwendet ausschließlich Spice und Sabre Models. Bei diesen handelt es sich um einen allgemein akzeptierten Standard, der alle Anforderungen an Simulationsmodelle erfüllt.
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Gate Drive Control ICs Nutzen und Vorteil
Wir bieten ein umfassendes Portfolio von International Rectifier Gate-Treiber-ICs und Controllern, die helfen das Designen zu vereinfachen, die Anzahl der Komponenten zu reduzieren und die Performance in Anwendungen von der Motorsteuerung und Beleuchtung bis hin zur Audioverstärkung und AC-DC-Netzgeräten zu optimieren. Bitte senden Sie eine E-Mail an support@infineon.com für detaillierte Informationen.
Die Vorteile des IR2133 gegenüber IR2130 sind die folgenden:
1. Der IR2133 hat eine Shutdown-Funktion - der SD-Pin.
2. Die Totzeit für den IR2133 ist kürzer.
3. Der FLT-CLR PIn des IR2133 Stift erlaubt die Einstellung einer Verzögerungszeit zwischen dem Zeitpunkt der Beseitigung des Fehlerzustandes und der Zeit, die Sie dem Chip geben, um in den normalen Betriebsmodus zurückzukehren.
4. Der IR2133 ist pin zu pin kompatibel mit der 1200V Version des IR2233.
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Fragen zu PROFET™ BTS5180 & BTS5016
Referenzen:
- Datenblatt.
- Application Note https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-24V_ProtectedSwitchShield_with_Profet+24V_for_Arduino_UsersManual_10.pdf-UM-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0156074933e91fe2.
1) Q: Kann BTS5180 für eine LED driver Applikation verwendet werden? Versorgungsspannung ist 24V (keine automotive Applikation). Kann der BTS5180 als 24V Busverwendet werden oder sollte man die BTT6xxx Serie verwenden?
A: BTS5180 kann mit einer Eingangsspannungvon bis zu 28V betrieben werden. Bei höheren Spannungen kann man BTT6100-2EKA oder BTT6200-1EJA/ BTT6200-4EKA verwenden.
2) Quellen: BTS5180-2EKA up to BTS5016-3EKA datasheets.
Q: Datenblatt: Seite.19, 5.5 Electrical characteristics: Power Stage, Die Werte der Parameter P_5.5.2 und P_5.5.3 (Nominalstrom) liegen unter den im Diagramm auf Seite 29 (Figure 21) angegebenen Werten. Diese Abweichung zeit sich in allen Datenblättern BTS5xxx-2EKA. Handelt es sich hierbei um einen Fehler im Datenblatt?
A: Es liegt kein Fehler vor. Zum Beispiel liegt bei BTS5180-2EKA der Nominalstrom für einen aktiven Kanal bei 2A (P_5.5.2), jedoch liegt die Stromlimitierung bei Vds=5V bei 8A (P_6.6.4).
Q: Was versteht man unter Nominalstrom?
A: Er bezeichnet Stromstärke bei "normalen Bedingungen". Bei normalen Umgebungs- und Betriebsbedingungen (siehe Randbedingungen bei Tabelle 5) führen die in P_5.5.2 and P_5.5.3 spezifizierten Werte nicht zu einer Abschaltung durch zu hohe Strom- oder Temperaturwerte. Als Beispiel:, max. Rds,on@150°C ist 360mΩ. Bei zwei aktiven Kanälen mit je 1.5A liegt die Verlustleistung bei 0.81W pro Kanal, die Gesamte Verlustleistung bei 1.62W. Typisch liegt Rth,jA bei 40K/W (P_4.3.2). Dies ergibt eine Temperaturerhöhung von 1.62W x 40K/W = 64.8K. Die Testbedingungen von P_5.5.2 und P_5.5.3 liegen bei TA=85°C, Tj 10V. Wie hoch ist die Sense signal saturation voltage (Vs – Vis)max. @ Iis = Iis(fault) max. 35 mA @ Vs = 24V?
A: Der Wert zeigt, dass die Spannung am Pin IS nie höher sein kann als die Spannung VS. In der Regel liegt sie 2V unter VS.
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