Automotive-MOSFETs
Infineon bietet eine breite Palette von Leistungs-MOSFETs einschließlich n-Kanal-, p-Kanal- und Zweikanal-MOSFETs für Automobilanwendungen, die über AEC-Q101 hinaus qualifiziert sind.
Durch den Einsatz hochwertiger Komponenten, wie z. B. Leistungs-MOSFETs für den Automobilbereich von Infineon, lassen sich auf MOSFETs zurückzuführende Ausfälle auf ein absolutes Minimum reduzieren. Unser Engagement für den Erfolg unserer Kunden und für die allgemeine Verkehrssicherheit zeigt sich darin, dass alle Automotive-MOSFETs, die unseren Namen tragen, weit über die Anforderungen von AEC-Q101 hinaus die höchstmöglichen Qualitätsstandards einhalten.
Das Portfolio von Infineon an OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs mit Qualifizierung für den Automobilbereich zeichnet sich durch Benchmark-Qualität in einem Bereich von 20 V bis 300 V, eine Vielfalt von Gehäusen und einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS (on)) bis minimal 0,55 mΩ aus. CoolMOS™-Superjunction-MOSFETs vervollständigen das Angebot an Produkten mit Automotive-Qualifizierung für den Bereich von 300 V bis 800 V in SMD- und Through-Hole-Gehäusen.
Wir bieten ständig die neuesten, auf Spitzenleistung ausgelegten MOSFET-Produkte für den Automobilbereich auf Grundlage der branchenweit führenden MOSFET-Technologie von Infineon mit ausgezeichneter Qualität und in robuster Ausführung:
- Erstklassige RDS (on)-Eigenschaften bei Trench-Technologien
- Höchste Stromkapazität in Standardgehäusen
- Niedrigste Schalt- und Leitfähigkeitsverluste
- Robuste Gehäusetechnologie
Automotive-MOSFETs von Infineon werden zur Ansteuerung von Motoren in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, z. B. für Pumpen, Lüfter, Lüftungssysteme, Sitzverstellungen oder Schiebedächer. Weiterhin kommen sie in sicherheitskritischen Anwendungen wie elektrischen Servolenkungen und elektrischen Brems- und Einspritzsystemen zum Einsatz. Darüber hinaus dienen sie als Schalter in On-Board-Batterieladegeräten, Hoch- und Niedervolt-Gleichspannungswandlern sowie in Batteriemanagementsystemen und Wechselrichtern.
Das Wichtigste dabei: Wir haben immer genau den richtigen MOSFET im passenden Gehäuse für Ihre Automobilanwendung.
In Verbindung mit Sensoren, Mikrocontrollern und weiteren erforderlichen Halbleiterlösungen bietet Infineon ein breites Spektrum an Automotive-MOSFETs, die auf dem Hintergrund des Wissens und der Erfahrungen von Jahrzehnten entwickelt wurden.
Unser umfangreiches Portfolio an Automotive-MOSFETs umfasst p-Kanal-MOSFETS und n-Kanal-MOSFETS in einer Vielzahl von Gehäusen. Entsprechend den Anforderungen Ihrer Anwendung stehen Ausführungen mit einzelner oder doppelter Halbbrückenschaltung und in Gehäusen mit Top-Side-Kühlung zur Verfügung.
Infineon bietet eine umfangreiche Produktpalette an Leistungs-MOSFETs mit p-Kanal für Automobilanwendungen in bedrahteten Gehäusen mit OptiMOS™-P2- und Gen5-Technologie.
Unser Portfolio an p-Kanal-MOSFETs für den Automobilbereich umfasst 30-V-, 40-V-, 55-V- und 150-V-Produkte mit dem branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand (R DS (on) ) bei 40 V und den höchsten Stromkapazitäten. Außerdem weisen die MOSFETs vollständige Avalanche-Festigkeit auf.
Dank unseres Portfolios an Automotive-MOSFETs mit n-Kanal, die in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich sind, bieten wir ultimative Designflexibilität und decken ein breites Spektrum von Anforderungen ab. Hier finden Sie ab einer Größe von 3 mm x 3 mm und bis hin zu 10 mm x 15 mm den geeigneten MOSFET für die Anforderungen Ihrer Anwendung.
Zudem vervollständigt der mit Halbbrückenschaltung ausgeführte MOSFET für 40-V-Anwendungen zur Motoransteuerung, den wir ganz neu auf den Markt gebracht haben, das Portfolio für diese speziellen Anwendungen. Mit seinem brandneuen 10 mm x 15 mm-Gehäuse einschließlich Top-Side-Kühlung für Anwendungen, die höchste Leistungsdichte erfordern, wird ferner Platz eingespart, und es entstehen keine zusätzlichen Kosten für Kühlkomponenten.
Siliziumcarbid-MOSFETs (SiC) zeichnen sich durch einen hohen Wirkungsgrad und außerordentliche Zuverlässigkeit für Anwendungen im Automobilbereich aus. Die umfangreiche Palette an Automotive-SiC-MOSFETs von Infineon umfasst CoolSiC™-MOSFETs, diskrete SiC-MOSFETs und CoolSiC™-MOSFET-Module auf der Basis von Siliziumcarbid.
Diese SiC-MOSFETs für den Automobilbereich punkten mit optimaler Leistung und höchster Betriebssicherheit. Zudem benötigen sie weniger Platz und sind leichter.
Die Anwendungen für Automotive-MOSFETs betreffen die Bereiche Fahrzeugelektronik, Antriebsstrang, Fahrwerk und Sicherheit, Fahrzeugsicherung, elektrischer Antrieb und Infotainment-Systeme.
Näheres zu allen unseren Lösungen für den Automobilbereich finden sie auf unserer Seite für Automobilanwendungen.
Doppel-Halbbrücke SSO8
Der Doppel-Halbbrücken-MOSFET im 5 x 6 mm2-SSO8-Gehäuse ist ideal für Einzellasten geeignet. Bei Brückenschaltungen ist das Routing mit einem Doppel-MOSFET kompliziert und erfordert eine große Leiterplattenfläche. Darüber hinaus ist die Nennstromstärke in den SSO8-Doppel-Packages auf 20 A begrenzt.
Durch die Verwendung der integrierten Halbbrücke wird die Leiterplattenfläche erheblich reduziert, da hiermit ein besseres Routing für Brückenschaltungen möglich ist. Die neu entwickelte Halbbrücke basiert auf der optimierten OptiMOS™-6-Technologie. Die Produkte dieses Portfolios zeichnen sich durch einen großen R DS (on)-Bereich von 3,0 mΩ bis 7,0 mΩ und eine höhere Nennstromstärke von 60 A aus.
Mögliche Anwendungen: Motorsteuerung, Fensterheber, Bordnetzsteuergerät (BCM), Feststellbremse, Sitzsteuermodul
Hauptmerkmale:
- Integrierte Halbbrücke – SSO8 (5x6)
- 5 x 6 mm2-Gehäuse mit geringerem Platzbedarf und optimiertem Layout für B6-Brückenschaltungen
- Neuester OptiMOS™-6 für 40 V mit minimalen Schalt- und Leitfähigkeitsverlusten
- JEDEC-gelistetes Gehäuse
- Kosteneffizienz für Ansteuerungsanwendungen mit niedriger und mittlerer Leistung
- Verlöteter CU-Clip
- Erheblich verringerte Leiterplattenfläche dank verbessertem Routing für Brückenschaltungsanwendungen
- RDS (ON)-Bereich 3,0 mΩ bis 7,0 mΩ
- Höherer Nennstrom von 60 A
Vorstellung von sTOLL: das neueste unbedrahtete 7 x 8 mm²-Gehäuse für Hochleistungs-MOSFETs mit OptiMOS-5™ 40 V und OptiMOS-6™ 40 V für die Automobilanwendungen der Zukunft (JEDEC: MO-319, IEC: HSOF-5).
MOSFET-Gehäusevarianten für den Automobilbereich
Da Infineon genau weiß, was Automobilhersteller und Verbraucher jetzt und in der Zukunft benötigen und erwarten, werden Automotive-MOSFETS so entwickelt, dass sie die Anforderungen des Standards AEC-Q101 für die Qualifizierung übertreffen. Der Standard ist für sich genommen eine wichtige Vorgabe, aber uns geht er nicht weit genug.
Der Grund für unsere Einschätzung wird deutlich, wenn wir uns einmal die Schwächen von AEC-Q101 ansehen. Zum einen deckt der Standard weder untypische oder anspruchsvolle Einsatzprofile ab, noch wird die Konstanz des Herstellungsprozesses im zeitlichen Verlauf betrachtet. Darüber hinaus berücksichtigt der Standard dpm-Werte (Defects per Million) erst ab 10.000. Im Vergleich dazu erreichen wir mit unseren deutlich robusteren Automotive-MOSFETs den niedrigstmöglichen dpm-Wert (unter 0,1).
Warum gehen wir bei Infineon über AEC-Q101 hinaus? Höchste Qualitätsstandards einzuhalten, ist eine Zielsetzung, die unser gesamtes Unternehmen durchdringt, auch wenn dies bedeutet, weitaus mehr tun zu müssen, als gefordert ist. In diesem Fall ist eine Überschreitung des Standards erforderlich, damit Autos mit geringeren CO2-Emissionen sauberer und dank (halb-)autonomer Fahreigenschaften sicherer werden. Unser konsequenter Produktqualifizierungsprozess stellt sicher, dass die Fahrzeughersteller sich bei unseren Produkten auf das höchstmögliche Maß an Zuverlässigkeit verlassen können.
Die ganz besonderen Vorteile der Leistungs-MOSFETs von Infineon für den Automobilbereich
Durch die Kombination führender Technologien mit robusten Gehäusen gewährleisten unsere MOSFETs Leistung der Extraklasse in einer Reihe von Automobilanwendungen. Aber das ist noch nicht alles. Sie und Ihre Kunden profitieren außerdem von folgenden Vorteilen:
Infineon unterstützt den Designprozess mit folgenden Support-Angeboten:
- Evaluation Boards
- Designdaten für Leiterplatten
- Simulationsmodelle
- Simulationstools
Um weitere Unterstützung zu erhalten, können Sie auch am MOSFET-Forum der Infineon-Community teilnehmen. Klicken Sie hier um direkt zum Forum zu gelangen.
- Introduce Infineon’s automotive MOSFETs for electric two-wheeler applications, its key features, benefits, as well as the technical support available
- Identify the target applications of electric two-wheelers that require automotive MOSFETs.
- Infineon’s Dual Gate MOSFET (IAUTN08S5N012L) is an 80 V product with an RDS of 1.15 milliohms, making it an ideal choice for use in disconnect switches
- Learn more about this product and its use in power distribution applications in this training
- Be familiar with Infineon’s measures to reduce the failure rate and to prove the quality level of a product
- Identify the right product based on given target application requirements
- Get to know today`s fast growing automotive MOSFET market.
- Know more about Infineon`s wide MOSFET selection for 48 V mild-hybrid electric vehicle, or MHEV, applications.
- Learn how Infineon defines a true culture of quality.
- Get to know Infineon`s Zero Defect approach and how Infineon goes beyond the requiriments when it comes to automotive MOSFET qulification.
- Get to know Infineon’s Automotive MOSFET data sheet.
- Improve your understanding of the parameters and diagrams in the document, which will help you better evaluate the device’s limits and capabilities.
- Know the different 48 V applications for the new drivetrain architectures.
- Get an overview of Infineon`s comprehensive MOSFET portfolio.
- Have an overview of the converters needed in electric vehicles.
- Analyze the 2-quadrant converter topology in buck and boost mode and the half-bridge converter with center tap rectification topology.
- Recognize the different types of setups in the data sheets.
- Be able to calculate the junction-to-ambient thermal resistance value, the power losses, and the static DC current.
