インフィニオンが次世代の省エネMOSFETを発表、 電源の効率化を図るメーカーを後押し
独インフィニオンテクノロジーズは、「パワーシステムズワールド2006」（開催地：米カリフォルニア州ロングビーチ、2006年10月24～26日）において、コンピュータ、通 信などのDC/DCコンバータに用いる次世代パワー半導体ファミリを発表しました。新しいOptiMOS® 3 30V NチャネルMOSFETファミリは、オン抵抗、電力密度、ゲ ート電荷といった重要なパラメーターで業界トップクラスの性能を発揮し、通常の電源アプリケーションの信頼性とエネルギー効率を1～1.3パーセント高めています。
サーバ、ノートパソコン、プラズマ／液晶テレビ、ゲーム機といった機器には、省エネニーズへの対応とシステム稼働時やスタンバイ時の許容損失を最小限に抑える観点から、効 率の高い電源が求められています。たとえば米国の場合、一般的な110V AC入力をDCに変換して電子機器を動かす電源部分は、全体の約6パーセントもの電力を消費しています。さらに、こ の電力の約10～20パーセントは動作時に熱となって放散されます。
パワー半導体分野で世界トップ（IMSリサーチ調べ、2006年9月）に立つインフィニオンは、特に低電圧のパワー変換アプリケーションで最適な性能を発揮するようOptiMOS 3ファミリを設計しています。同ファミリの製品は、前世代の製品よりもおおむね効率が1～1.3パーセント向上しています。一見わずかな改善のようですが、これを達成するにはかなりの技術を要し、節 電効果も一年間で見ると相当に上ります。たとえば消費電力1,200Wのサーバを1パーセント省電力化した場合、全世界では年間で約360メガワット、す なわち従来型の発電所を1基削減できるほどの節電効果が見込まれます。
インフィニオンのアンドレアス・ウルシッツ（パワーマネジメント＆サプライ事業ユニット、シニアディレクター）は次のように話しています。「OptiMOS 3ファミリは、将 来のシステム設計で電源に求められる要件を満たし、省エネにも貢献します。より優れた効率とスイッチング特性、一段と高い電力密度と信頼性を合わせ持つこの製品は、高性能、省エネ性、高 い費用効果を兼ね備えた電源ソリューションを実現します」
OptiMOS 3の持つ性能特性を利用すれば、電源メーカーはより少ない半導体部品で望ましい性能水準を得ることができ、た とえばDC/DCコンバータでは必要なMOSFETの数を33パーセント削減できます。インフィニオンはこれらのデバイスを新しい高性能のShrink SuperSO8 (S3O8) 3 mm x 3 mmパッケージに実装して提供します。これにより、コンバータに用いるMOSFETの占有面積を最大60パーセント縮小することができます。
電力定格を満たす小型のDC/DCコンバータを柔軟に開発できるよう、OptiMOS 3では同じ標準サイズでより高い電源出力を供給することも可能となっています。さらに、OptiMOS 3はノートパソコンのバッテリ寿命を延ばし、サーバや通信システムの省エネにも貢献します。
NチャネルOptiMOS 3プロセス技術は、業界で最も低いオン抵抗ときわめて低いゲート電荷などの特長を実現し、デバイス性能を著しく高めています。たとえば最高クラスのOptiMOS 3パワーMOSFETをSuperSO8パッケージに実装した製品の最大定格オン抵抗はわずか1.6mΩで、第2位の同等製品より約30パーセントも低くなっています。オ ン抵抗が低いため導通損失やオン状態での電力損失が最小限で済み、電力密度が高まります。
OptiMOS 3デバイスはゲート電荷が低いため駆動が容易で、ドライバはより廉価なもので済みます。さらに性能指数（FOM）が向上したことでドライバ負荷は30パーセント減少し、ス イッチング周波数400kHzでのドライバ動作温度は次点の製品よりほぼ10℃も低いため、エネルギーの熱放散が減少します。
業界をリードしてきたOptiMOS 2に比べ、OptiMOS 3ではさらに大きく改良された点がいくつかあります。オン抵抗が30パーセント減少し、FOMは30パーセント向上したほか、O ptiMOS 2と同等の性能を60パーセント小型のパッケージ（S3O8）で実現しています。
提供時期と価格
新しいOptiMOS 3 30VパワーMOSFETファミリは、80デバイス以上を組み込んだ8パッケージタイプのものが用意され、オン抵抗も各種揃っています。OptiMOS 3はすでに量販を開始しています。たとえば最高クラスのBSC016N03LSG（オン抵抗1.6mΩ）をSuperSO8パッケージに実装した製品は、10,000個受注時の単価が1ドル以下となっています。S 3O8パッケージに実装した3.5mΩデバイスの単価は0.70ドル以下です。
インフィニオンは、米国カリフォルニア州ロングビーチで10月24～26日に開催された見本市「パワーシステムズワールド2006」において、新しいパワー半導体とS3O8パッケージを展示しました（ ブース#508）。
詳細については www.infineon.com/powermosfetsをご参照ください。
サーバ、ノートパソコン、プラズマ／液晶テレビ、ゲーム機といった機器には、省エネニーズへの対応とシステム稼働時やスタンバイ時の許容損失を最小限に抑える観点から、効 率の高い電源が求められています。たとえば米国の場合、一般的な110V AC入力をDCに変換して電子機器を動かす電源部分は、全体の約6パーセントもの電力を消費しています。さらに、こ の電力の約10～20パーセントは動作時に熱となって放散されます。
パワー半導体分野で世界トップ（IMSリサーチ調べ、2006年9月）に立つインフィニオンは、特に低電圧のパワー変換アプリケーションで最適な性能を発揮するようOptiMOS 3ファミリを設計しています。同ファミリの製品は、前世代の製品よりもおおむね効率が1～1.3パーセント向上しています。一見わずかな改善のようですが、これを達成するにはかなりの技術を要し、節 電効果も一年間で見ると相当に上ります。たとえば消費電力1,200Wのサーバを1パーセント省電力化した場合、全世界では年間で約360メガワット、す なわち従来型の発電所を1基削減できるほどの節電効果が見込まれます。
インフィニオンのアンドレアス・ウルシッツ（パワーマネジメント＆サプライ事業ユニット、シニアディレクター）は次のように話しています。「OptiMOS 3ファミリは、将 来のシステム設計で電源に求められる要件を満たし、省エネにも貢献します。より優れた効率とスイッチング特性、一段と高い電力密度と信頼性を合わせ持つこの製品は、高性能、省エネ性、高 い費用効果を兼ね備えた電源ソリューションを実現します」
OptiMOS 3の持つ性能特性を利用すれば、電源メーカーはより少ない半導体部品で望ましい性能水準を得ることができ、た とえばDC/DCコンバータでは必要なMOSFETの数を33パーセント削減できます。インフィニオンはこれらのデバイスを新しい高性能のShrink SuperSO8 (S3O8) 3 mm x 3 mmパッケージに実装して提供します。これにより、コンバータに用いるMOSFETの占有面積を最大60パーセント縮小することができます。
電力定格を満たす小型のDC/DCコンバータを柔軟に開発できるよう、OptiMOS 3では同じ標準サイズでより高い電源出力を供給することも可能となっています。さらに、OptiMOS 3はノートパソコンのバッテリ寿命を延ばし、サーバや通信システムの省エネにも貢献します。
NチャネルOptiMOS 3プロセス技術は、業界で最も低いオン抵抗ときわめて低いゲート電荷などの特長を実現し、デバイス性能を著しく高めています。たとえば最高クラスのOptiMOS 3パワーMOSFETをSuperSO8パッケージに実装した製品の最大定格オン抵抗はわずか1.6mΩで、第2位の同等製品より約30パーセントも低くなっています。オ ン抵抗が低いため導通損失やオン状態での電力損失が最小限で済み、電力密度が高まります。
OptiMOS 3デバイスはゲート電荷が低いため駆動が容易で、ドライバはより廉価なもので済みます。さらに性能指数（FOM）が向上したことでドライバ負荷は30パーセント減少し、ス イッチング周波数400kHzでのドライバ動作温度は次点の製品よりほぼ10℃も低いため、エネルギーの熱放散が減少します。
業界をリードしてきたOptiMOS 2に比べ、OptiMOS 3ではさらに大きく改良された点がいくつかあります。オン抵抗が30パーセント減少し、FOMは30パーセント向上したほか、O ptiMOS 2と同等の性能を60パーセント小型のパッケージ（S3O8）で実現しています。
提供時期と価格
新しいOptiMOS 3 30VパワーMOSFETファミリは、80デバイス以上を組み込んだ8パッケージタイプのものが用意され、オン抵抗も各種揃っています。OptiMOS 3はすでに量販を開始しています。たとえば最高クラスのBSC016N03LSG（オン抵抗1.6mΩ）をSuperSO8パッケージに実装した製品は、10,000個受注時の単価が1ドル以下となっています。S 3O8パッケージに実装した3.5mΩデバイスの単価は0.70ドル以下です。
インフィニオンは、米国カリフォルニア州ロングビーチで10月24～26日に開催された見本市「パワーシステムズワールド2006」において、新しいパワー半導体とS3O8パッケージを展示しました（ ブース#508）。
詳細については www.infineon.com/powermosfetsをご参照ください。
インフィニオンについて
インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自動車・産業・マ ルチ市場や通信アプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューションと、子会社「Qimonda （キマンダ）」を通してメモリ製品を供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。2005会計年度（9月決算）の売上高は67億6,000万ユーロ、2 005年9月末の従業員数は約36,400名でした。インフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト： http://www.infineon.com
日本サイト： http://www.infineon.com/jp
本社サイト： http://www.infineon.com
日本サイト： http://www.infineon.com/jp
Information Number
INFAIM200610.010
Press Photos
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Using the S3O8 package (only 3 mm x 3 mm), OptiMOS® 3 saves up to a 60 percent board space required for MOSFETs in converter system designs. The family OptiMOS 3 improves reliability and energy efficiency of DC/DC converters in computers, telecommunications and consumer electronics devices featuring industry-leading performance in key power conversion measures, such as on-state resistance, power density and gate charge.SuperSO.jpg
Im S3O8-Gehäuse (nur 3 mm x 3 mm) spart OptiMOS® 3 im Spannungswandler-Design bis zu 60 Prozent Boardfläche für die MOSFETs ein. Die Leistungshalbleiter-Familie OptiMOS 3 steigert die Energieeffizienz von Netzteilen in Computern, Telekommunikationsgeräten und Konsumelektronik. Sie bietet höhere Zuverlässigkeit und industrieweit beste Leistungsmerkmale beim Einschaltwiderstand, der Leistungsdichte oder der Gate-Ladung.JPG | 470 kb | 1535 x 1063 px
