インフィニオン、「CoolMOS™ MOSFET」向けTO 247-4ピン パッケージを提供開始、ハードスイッチング トポロジを大幅に効率化

独インフィニオン テクノロジーズは本日、TO 247-4ピン パッケージの提供を開始しました。本パッケージでは、追加された4つのピンがケルビンソースとして機能することで、パ ワーMOSFETのソース端子で発生する寄生インダクタンスを効果的に低減できます。このような効率化は、連続導通モード力率改善回路（CCM PFC）、ブースト、トゥートランジスタ フォワード（TTF）な ど、各種ハードスイッチング トポロジで、最大のメリットを発揮します。

最新パッケージは、スイッチング損失を最大8%削減することで、効率化を実現します。これを言い換えると、1.2KW動作のCCM PFCのMOSFETの場合、ワット損は5W低くなり、同 一のMOSFETに標準的な3ピンTO 247パッケージを使用した場合と比べると、最大負荷時の効率性は0.4%向上します。新型TO 247-4は、イ ンフィニオンとSTマイクロエレクトロニクスの2社から提供されます。両社が同じパッケージを提供することで、顧客には、良質な代替供給源が得られます。

インフィニオンのヤン ウィレム レイナーツ（Jan-Willem Reynaerts）（High Power Voltage Conversion製品部門責任者）は、次 のように述べています。「当社の新製品『CoolMOS™ C7』のような、最新世代のスーパージャンクションMOSFETは、数ナノ秒の間に、数百ボルト・数十アンペアの切り替えが可能です。こ のチップ技術のメリットをフル活用するには、パッケージが重要な要素となります。すなわち、かつてない水準のエネルギー効率を実現するには、パッケージによって適切なシステム環境を整える必要があります。イ ンフィニオンとSMマイクロエレクトロニクスが本日提供を開始した、この高電圧MOSFET用の新型TO 247-4ピン パッケージは、エネルギー効率の点で新たな基準を打ち立てるものとなっています。」

TO 247-4のケルビン ソース構成のさらなるメリットとしては、ドレインを露出させた新たなピン配置と、ゲート・ドレイン間のソースによって、PCBレイアウトの使い勝手が良くなっています。こ の結果、ドレイン-ソース電圧（VDS）の高dv/dtレートによるゲート オシレータのターンオフの原因となりがちな、臨界モードでのドレイン・ゲート間のカップリング効果が抑制されます。さらに、ドレイン・ ソ ース間の沿面距離が伸びることで、システムの安定性が高まります。新型パッケージは、サーバ、基地局、太陽光発電など、高出力アプリケーション向けに最適化されています。

インフィニオンが本日発表した「CoolMOS™ C7」は、最新世代のスーパージャンクション パワートランジスタであり、MOSFETファミリーとして初めて、247-4ピン パッケージを採用する予定です。

供給状況
TO 247-4パッケージは、現在サンプル出荷中です。量産出荷は、2013年第3四半期の開始予定です。 インフィニオンの新型TO 247-4パッケージについての詳細は、 下記URLをご参照ください。
www.infineon.com/c7

インフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、 エネルギー効率、 モビリティ、 セキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2 012会計年度（9 月決算）の売上高は39億ユーロ、従業員は世界全体で約2万6,700人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQX に株式上場しています。

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