インフィニオン、電気自動車/ハイブリッド車の高速スイッチング向けに、最高の効率性を実現した650V版IGBTを発表

2015年2月26日、ドイツ（ミュンヘン）

独インフィニオンテクノロジーズは、車載用の高速スイッチング アプリケーションで最高の効率性を実現可能な、堅牢性に優れた650V版IGBTファミリを発表しました。オンボード充電、力率補正（PFC）、DC/DC、DC/AC変換など、電気自動車（EV）/ハイブリッド車（HEV）の各種アプリケーションでは、AEC-Q適合の「TRENCHSTOP™5 AUTO」IGBTを使用することで、電力損失を抑えつつ、高い信頼性が得られます。

新型IGBTは、これまでの車載用IGBTと比べて阻止電圧が50V高く、インフィニオンの「TRENCHSTOP 5」薄ウェハ技術により、「クラス最高の」効率性評価を達成しています。既存の「最先端」技術と比べた場合、同技術によって、飽和電圧（VCE(sat)）は200mV削減し、スイッチング損失は半分に、ゲート電荷は2.5分の1に削減されます。スイッチング損失と伝導損失が抑えられることで、代替技術よりも低いジャンクション温度とケース温度への対応が可能となり、デバイスの信頼性が増すだけでなく、冷却の必要性も最小限ですみます。

「TRENCHSTOP 5 AUTO」IGBTを使用することで、電気自動車は今後、高い効率性が得られることになり、走行距離の延長や、バッテリーの小型化に対応できます。ハイブリッド車の場合、効率化によって、全体的な燃費の向上や、二酸化炭素排出量の削減が可能です。さらに、「TRENCHSTOP 5 AUTO」デバイスの優れたパフォーマンスにより、MOSFET中心のアプリケーションにもIGBTを使用できるようになり、設計者は適切なパワー半導体技術をより広範に活用できます。

「TRENCHSTOP 5 AUTO」IGBTの定格電流は40Aまたは50Aで、単一のディスクリートIGBTデバイスか、インフィニオンの超高速「Rapid」シリコンダイオードとのワン パッケージ形式で提供されます。いずれの場合でも、設計時の最優先基準が、最適なスイッチング速度であるか、最高の効率性であるかに応じて、「H5 HighSpeed」と「F5 HighSpeed FAST」の2種類の派生製品を選択可能です。

効率化の例
オンボード充電器で使用される一般的なPFCの場合、現行の「最先端」技術の代わりに「TRENCHSTOP 5 AUTO」IGBTを使用することで、効率性が97.5%から97.9%に増加することが判明しています。これを3.3kW充電器に当てはめると、電力損失を13W削減したことになります。また、充電時間を5時間と仮定すると、一回の充電サイクルでは30gの二酸化炭素排出量が削減されることになります。

供給時期
650V版「TRENCHSTOP 5 AUTO」IGBTは、TO-247パッケージで提供されます。エンジニアリングサンプルは提供を開始しており、量産は2015年3月に開始の予定です。新型650V版「TRENCHSTOP 5 AUTO」IGBTについての詳細は、 www.infineon.com/discrete-automotive-igbt をご覧ください。

インフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は半導体分野の世界的リーダーです。インフィニオンはエネルギー効率、モビリティ、セキュリティという、現代社会が抱える3つの大きな課題に応えています。2014会計年度（9 月決算）の売上高は43億ユーロ、従業員は世界全体で約2万9,800人です。インフィニオンは2015年1月、パワー半導体技術の有数のプロバイダーであり、11億米ドル（6月29日を期末とする2014会計年度）の売上高と約4,200人の従業員を持つ米国企業のインターナショナル・レクティファイアーを買収しました。

インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場(ticker symbol:IFX)、米国では店頭取引市場(ticker symbol:IFNNY)のOTCQX に株式上場しています。

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