インフィニオン、オン抵抗と逆回復電荷を飛躍的に低減する「OptiMOS™ 5」150 V品を発表

2016/10/11 | マーケットニュース

2016年10月11日、ミュンヘン（ドイツ） 

独インフィニオンテクノロジーズは、高効率の設計とアプリケーションを対象とする「OptiMOS™ 5」150V品ファミリーを発表しました。本製品ファミリーは、業界をリードする「OptiMOS™ 5」世代のパワーMOSFETをさらに拡充するものです。新登場の150V品ファミリーは、低電荷や高電力密度だけでなく、高耐久性も要求される高性能アプリケーションを対象とし、特別な最適化が施されています。新製品は、低電圧駆動装置、通信用途向け同期整流回路、ブリックコンバータ、太陽光発電オプティマイザの各用途で、インフィニオンのシステムソリューションに重要な貢献を果たします。 

グリーン化技術

インフィニオンは、高効率設計の実現を通じ、世界的なCO 2排出量の削減に寄与する製品を開発し続けています。「OptiMOS™ 5」150V品は、通信機器の消費電力削減や、電気自動車の高出力化と走行距離の向上を通じ、この目標に貢献します。 

「OptiMOS™ 5」150V品は、他社代替製品との比較で、SuperSO8パッケージでのオンステート抵抗（RDS (on)）が25%減と、飛躍的に削減されています。オン抵抗が同一の場合、本製品ファミリーのFOM g（ゲート電荷性能指数：オン抵抗×ゲート電荷）は、旧世代製品に比べて最大29%改善されます。逆回復電荷（Q rr）については、SuperSO8による他社代替製品との比較で72%減という超低Q rrを実現しており、これによって整流回路の耐久性が向上します。上記以外にも、本製品ファミリーの傑出した特長として、EMI動作の向上が挙げられます。 

詳細については、  http://www.infineon.com/optimos5-150V をご覧ください。

Information Number

INFPMM201610-003

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