PQFNパッケージによる新しいロジックレベルMOSFETが高い電力密度を実現

2017/04/04 | マーケットニュース

2017年4月4日、ミュンヘン（ドイツ）

独インフィニオン テクノロジーズは、新しいロジックレベルIR MOSFET™ファミリーを発表しました。これは60 V、80 V、および100 Vの3種類の電圧クラスから構成されています。新しいデバイスは2 mm x 2 mm PQFNパッケージで提供され、実装面積の厳しい ワイヤレス充電、 アダプター、および 通信用途に最適です。パッケージサイズが小さくなることにより、大きな電力密度と効率改善を得ています。同時にスペース節約、パーツ数削減、およびシステム全体のコスト削減にも貢献します。

PQFNパッケージによる新しいIR MOSFETデバイスのRDS(on)は、競合製品のそれを11〜40%下回ります。極めて低いゲート電荷（Q g）により、導通損を拡大することなくスイッチング損失を削減します。さらに出力容量（C OSS）と逆リカバリー電荷（Q rr）も最適化され、FOMg（R DS(on)x Q g/gd)も改善されています。これによりIR MOSFETデバイスは、共振型ワイヤレス充電アプリケーションに必要とされる、最大6.78 MHzの高いスイッチング周波数で動作します。ロジックレベルのゲート駆動は低いゲート閾値電圧（V GS(th)）を持ち、5 Vで、またマイクロコントローラーから直接駆動することが可能です。

供給状況

IR MOSFETは60 Vと80 Vがすでに提供され、100 Vが現在開発中です。詳細は www.infineon.com/IR-MOSFET-logiclevelをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、暮らしをより便利に、安全に、エコに革新する半導体分野の世界的リーダーです。明るい未来の扉を開く鍵になる半導体をつくることが、私たちの使命だと考えています。2016会計年度（9月決算）の売上高は65億ユーロ、従業員は世界全体で約3万6,000人。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場(ticker symbol:IFX)、米国では店頭取引市場(ticker symbol:IFNNY)のOTCQX に株式上場しています。

 

日本法人サイト： http://www.infineon.com/jp 

本社サイト： http://www.infineon.com （英語）

Information Number

INFPMM201704-044

Press Photos

  • The new IR MOSFET devices in the PQFN package deliver between 11 and 40 percent lower RDS(on) than competitive products. The ultra-low gate charge reduces switching losses without increasing conduction losses. In addition, the output capacitance and reverse recovery charge have been optimized.
    The new IR MOSFET devices in the PQFN package deliver between 11 and 40 percent lower RDS(on) than competitive products. The ultra-low gate charge reduces switching losses without increasing conduction losses. In addition, the output capacitance and reverse recovery charge have been optimized.
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  • The new IR MOSFET devices in the PQFN package deliver between 11 and 40 percent lower RDS(on) than competitive products. The ultra-low gate charge reduces switching losses without increasing conduction losses. In addition, the output capacitance and reverse recovery charge have been optimized.
    The new IR MOSFET devices in the PQFN package deliver between 11 and 40 percent lower RDS(on) than competitive products. The ultra-low gate charge reduces switching losses without increasing conduction losses. In addition, the output capacitance and reverse recovery charge have been optimized.
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