業界トップクラスの電力損失を実現した超ソフト型の IGBT用フリーホイーリングダイオードを発売

2018/04/26 | マーケットニュース

2018年4月13日、ミュンヘン(ドイツ) 

独インフィニオンテクノロジーズバイポーラー(Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG)は、最新のIGBTアプリケーション向けに特別に設計された新製品ファミリーのダイオード「Infineon® Prime Soft(インフィニオン プライムソフト)」を発売しました。Prime Softは、モノリシックシリコン設計を採用した好評のIGCT用フリーホイーリングダイオードの製品ファミリーのダイオードであり、ターンオフ性能が5kA/μsに向上しています。標準用途としては、電圧形コンバータを使用する高圧ドライブや、HVDC(高電圧直流送電)/FACT(フレキシブル交流送電)など、電力損失要件の厳しい用途が想定されています。 

新発売のダイオード「Prime Soft」を採用するお客様は、業界トップクラスの低導通損失をそのメリットとして享受できます。オン状態における電力損失の低減は、モノリシックシリコン設計によってシリコン活性領域を、マルチチップダイオードと比較して25%以上拡大することで可能になりました。この新設計によってスイッチング電力は6~10MWに向上し、最大ジャンクション温度は140℃となります。シリコンとモリブデンキャリアの間に金属接続のない自由浮動接触の場合と比較して、接合型の本デバイスの熱抵抗は約20%低くなっています。 

高水準の信頼性と良好な熱特性に加え、インフィニオンのPrime Softダイオードはスイッチング損失を最小限に抑えています。そのソフトな逆回復動作はあらゆる関連の動作条件下で、不適切な発振を示しません。電気的パラメータに加え、新しい力学的コンセプトによって、圧接型IGBTとフリーホイーリングダイオードの直列スタックによるスタック構成が簡素化されました。これによってスタック設計に要する時間が約50%短縮されます。  

供給状況について

超ソフト型のIGBT用フリーホイーリングダイオードは、ブロッキング電圧4.5kVの圧接実装品を提供しています。本ダイオードはシリコン径の異なるD1600U45X122、D2700U45X122、D4600U45X172の3品種があります。インフィニオンのPrime Softについての詳細は、 www.infineon.com/primesoft に掲載されています。

Information Number

INFIPC201804-046j

Press Photos

  • The monolithic silicon design of the Infineon® Prime Soft diode increases the active silicon area, compared to multichip diodes it is enlarged by more than 25 percent. This new design improves the switching power up to 6 to 10 MW at a maximum junction temperature of 140°C.
    The monolithic silicon design of the Infineon® Prime Soft diode increases the active silicon area, compared to multichip diodes it is enlarged by more than 25 percent. This new design improves the switching power up to 6 to 10 MW at a maximum junction temperature of 140°C.
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