EiceDRIVER：インフィニオンの1EDN7550と1EDN8550がSMPSの接地シフト問題を解決

2018年9月12日、ミュンヘン（ドイツ）

スイッチング電源（SMPS）においてパワーMOSFETのスイッチオンオフを行う際、寄生インダクタンスによる接地シフトが発生します。これはゲートドライバーICが管理できないスイッチングを引き起こし、極端なケースではパワーMOSFETの過負荷やSMPSの異常動作を生じることがあります。インフィニオンテクノロジーズはこの問題を解決するため、1チャンネルのローサイドゲートドライバーICである1EDN7550と1EDN8550を提供します。これらのゲートドライバーはEiceDRIVER™ファミリーに属し、真の差動制御入力を備え、またパワーMOSFETの誤トリガー防止に効果的です。1EDN7550と1EDN8550は産業、サーバー、および通信用 SMPSに加え、 無線充電アプリケーション、 通信用DCｰDCコンバーター、 電動工具などにも使用されます。

EiceDRIVER 1EDN7550と1EDN8550は最大± 70 Vまでの静的接地オフセットに耐えます。また最大± 150Vまでの動的接地オフセットによって安全な動作が保証されています。これらはいずれも接地ループを切断することなく可能です。これらのゲートドライバーICは真の差動入力を備えているため、ICのスイッチング動作は2つの入力間の電圧の違いのみによって決定されます。1EDNx550 EiceDRIVERはケルビンソース端子を持つパワーMOSFETの制御に最適です。これらのゲートドライバーICは、パワーMOSFETの寄生ソースインダクタンスによる接地シフトに対し、十分な耐性を備えています。ガルバニック絶縁のゲートドライバーICと比較した場合、これらのシングルチャンネルローサイドゲートドライバーICは、従来型のソリューションにおいてより低コストであると共にスペース効率にも優れています。

1EDNx550ファミリーは、（ゲートドライバーICに制御信号を供給する）制御ICとゲートドライバーICとの距離が通常よりも長い場合において、コスト効率に優れたソリューションとなります。このような状況は製品のデザインに伴う制約、選択したプリント基板テクノロジー、あるいは子基板の種類の違いによって生じます。これらには寄生接地インダクタンスにより、制御ICとゲートドライバーICの間で接地シフトが引き起こされるという共通点が存在します。1EDNx550ファミリーはこのような課題を解決し、製品開発に必要な期間を短縮します。

インフィニオンの1EDNx550ローサイドゲートドライバーファミリーはSOT-23 6-ピンパッケージにより提供されています。従来のソリューションと比較して、このファミリーはより高いパワー密度と製品開発に必要な作業の削減をより低コストで実現します。

出荷状況について

EiceDRIVERファミリーの1EDNx550デバイスはすでに受注を開始しています。詳細については www.infineon.com/TDIをご覧ください。