インフィニオン、UPSとエネルギー貯蔵用途を対象とする、CoolSiC™ MOSFETパワーモジュールのポートフォリオを拡充
2019年1月31日、ミュンヘン（ドイツ）
シリコンカーバイド（SiC）ソリューションへの需要が高まってきていることに応え、インフィニオンテクノロジーズは1200V CoolSiC™ MOSFETファミリーの新製品を発表しました。CoolSiC Easy 2Bを使用すれば、パワー密度を高めることによるシステムコストを引き下げた設計が可能になり、運用コストも大きく引き下げられます。シリコンIGBTと比較してスイッチング損失が約80%低いため、90%を超えるインバーター効率が実現します。SiC独自の特性により、同水準またはさらに高いレベルのスイッチング周波数が可能です。これはUPSやエネルギー貯蔵など高速なスイッチングを必要とする用途に特に適しています。
パワーモジュール向けのEasy 2B標準パッケージは、業界をリードする漏れインダクタンスの低さを特徴としています。さまざまなハーフブリッジ、6パック、およびブースターモジュールを揃えるインフィニオンは、市場で最も豊富なEasyパッケージによるSiCポートフォリオを提供しています。ハーフブリッジ方式のCoolSiC Easy 2Bは、4と6パックのトポロジーに容易に対応します。この新しいデバイスのスイッチあたりのオン抵抗(R DS(ON))はわずか6 mΩであり、それによりハーフブリッジ方式のモジュールのパワーレンジを拡大します。これはEasy 2Bハウジングのデバイスとしてベンチマークとなる性能です。
CoolSiC MOSFETチップにはボディダイオードが一体化されているため、他のダイオードチップを必要とすることなく低損失のフリーホイーリング機能が得られます。NTC温度センサーがデバイスのモニタリングを促進し、またPressFITテクノロジーがデバイスをマウントする際の組み立て時間を短縮します。
供給状況
CoolSiC MOSFET Easy 2Bモジュールの提供は直ちに開始されます。インフィニオンは45 mΩのR DS(ON)を持つ、すでに確立されたEasy 1Bパッケージによる最初のCoolSiC™ MOSFET 6パックモジュールを発表したばかりでした。詳細については www.infineon.com/coolsic-mosfetをご参照ください。
Information Number
INFIPC201901.032j
Press Photos
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The new CoolSiC Easy 2B widens the power range of modules in half-bridge topology with an on-resistance (RDS(ON)) per switch to only 6 mΩ. This is a benchmark performance for devices in Easy 2B housing.CoolSiC-MOSFET-Easy-2BJPG | 338 kb | 1796 x 1206 px
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The new CoolSiC Easy 2B widens the power range of modules in half-bridge topology with an on-resistance (RDS(ON)) per switch to only 6 mΩ. This is a benchmark performance for devices in Easy 2B housing.CoolSiC-MOSFET-Easy-1BJPG | 232 kb | 1712 x 1011 px
