Cool SiC™ 62 mmモジュールにより、新たなアプリケーションへのシリコンカーバイドの利用が可能に

2020年6月29日、ミュンヘン（ドイツ）

インフィニオン テクノロジーズ（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は、CoolSiC™ MOSFET 1200 Vモジュールファミリーに新たな業界標準パッケージを追加します。定評ある62mmデバイスはハーフブリッジトポロジで設計され、トレンチチップ テクノロジーを基盤としています。これにより、250kW以上の中電力レンジ向けのアプリケーションにシリコンカーバイドを利用できるようになります。250kWは、IGBT技術を用いた際にシリコンの電力密度レベルが限界に達する電力です。62 mm IGBTモジュールと比べて、今回追加されたアプリケーションには、 太陽光発電、 サーバー、 蓄電、 EV充電器、 トラクション、IH調理器、電力変換システムが含まれます。

62 mmモジュールは、大電流密度を実現するインフィニオンのCoolSiC MOSFETを搭載しています。極めて低いスイッチング損失と導通損失により冷却を簡素化し、高周波におけるスイッチング効率により磁性体部品の小型化を可能にしています。インフィニオンのCoolSiCチップテクノロジの実装を通じて、インバータを小型化して設計することができ、全体的なシステムコストを削減できます。

ベースプレートと取り付ねじによる、非常に堅牢性の高い設計のハウジングを特徴とし、高いシステム汎用性と同時に、メンテナンスコストや時間を最小限に抑えます。高いパワーサイクル能力と150°Cの連続的な動作温度（Tvjop）を通じて、卓越した信頼性を実現します。ハウジングは対称的な設計のため、上側と下側のスイッチについて同じスイッチング性能を可能にしています。オプションとして、熱伝導材料（TIM）をあらかじめ塗布することで、モジュールの放熱性をさらに高めることもできます。

供給状況

CoolSiC™ MOSFETs 1200 V の62 mmパッケージには、 6 mΩ/250 A、3 mΩ/375 A、2 mΩ/500のバージョンがあります。短時間で性能確認（ダブルパルス／連続動作）を行うため設計された、評価用ボードも供給可能です。使いやすいよう、ゲート電圧とゲート抵抗器を柔軟に調整できます。同時に、大量生産に向けたドライバボードの基準設計として活用することもできます。詳しくは www.infineon.com/sic-mosfet-modules、 www.infineon.com/SiCをご覧ください。

PCIM 2020 バーチャルブース

インフィニオンは今年、完全にバーチャルでPCIM 2020に出展します。ご来場者さまは、例年通り、製品イノベーションとアプリケーションソリューションに関する総合的な理解を深めていただけます。シリコン、シリコンカーバイド（CoolSiC™）、ガリウムナイトライド（CoolGaN™）の各技術を含む幅広いパワー半導体の製品群により、引き続き業界基準を打ち立てていきます。PCIMは、2020年7月1日から開始します。ご登録は、 こちらをクリックしてください。