TRENCHSTOP™IGBT7技術がTO-247ハウジングで利用可能に

2020/09/22 | マーケットニュース

2020年9月22日、ミュンヘン（ドイツ）
 
インフィニオン テクノロジーズ（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）は、EconoDUALおよびEasyパッケージに続き、業界をリードするTRENCHSTOP IGBT7技術をディスクリートハウジングで提供します。本デバイスはTO-247に搭載され、650Vのブレークダウン電圧を実現しています。新しいTRENCHSTOPファミリーは、 20A、 30A、 40A、 50A、 75Aの電流定格で構成され、以前の技術との置き換えや並列接続が容易にできます。この新しいIGBT7は、 産業用モータ駆動、力率改善、 太陽光発電、 無停電電源などのアプリケーションに特に適しています。
 
新しい微細トレンチ技術に基づいたTRENCHSTOP IGBT7チップは、非常に低い静的損失で動作します。同じ電流クラスの場合、オン電圧は10％減少します。この機能は、特に産業用ドライブなどの通常中間程度のスイッチング周波数で動作するアプリケーションにおいて、大幅な損失削減をもたらします。IGBT T7は、非常に低い飽和電圧（VCE(sat)）特性を有しており、エミッタ制御の第7世代（EC7）ダイオードと共に実装され、150mV低い順方向電圧（VF）降下と逆回復特性の改善を実現します。
 
本デバイスはまた、優れた制御性とEMI性能を備えています。調整が容易で、アプリケーション固有の最適なdv/dt とスイッチング損失を提供することが可能となっています。650V TRENCHSTOP IGBT7は、アプリケーションで必要とされる短絡耐性を有しています。さらにJEDECのHV-H3TRB（高電圧高湿度高温逆バイアス）テストに合格しており、産業用アプリケーションで一般的に見られる高湿度環境での耐久性が証明されています。
 
供給状況
ディスクリート650V TRENCHSTOP IGBT7は、現在注文可能となっています。詳細については、 https://www.infineon.com/igbt7 をご覧ください。

Information Number

INFIPC202009-091j

Press Photos

  • Based on the new micro-pattern trench technology from Infineon, the TRENCHSTOP IGBT7 chip in the TO-247 package performs with much lower static losses, the on-state voltage is reduced by ten percent. It has a very low saturation voltage (VCE(sat)) and is co-packed with an emitter controlled 7th generation (EC7) diode with an improved reverse-recovery softness.
    Based on the new micro-pattern trench technology from Infineon, the TRENCHSTOP IGBT7 chip in the TO-247 package performs with much lower static losses, the on-state voltage is reduced by ten percent. It has a very low saturation voltage (VCE(sat)) and is co-packed with an emitter controlled 7th generation (EC7) diode with an improved reverse-recovery softness.
    650_V_TRENCHSTOP_IGBT7_TO-247

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