OptiMOS™ ソースダウン25 VパワーMOSFETをPQFN 3.3×3.3 mmパッケージで提供

2020年2月10日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオン テクノロジーズ（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は、現代のパワーマネジメント設計における課題に対処するために、コンポーネントレベルでの改良を伴うシステム革新に重点的に取り組んでいます。その一つが新しい業界基準となるパッケージ概念である「ソースダウン」です。この「ソースダウン」を採用した最初の製品として、PQFN 3.3×3.3 mmパッケージによるパワーMOSFET、 OptiMOS ^TM 25Vを発売します。このデバイスは、MOSFET性能の新たな業界基準を定めるものであり、オン抵抗（RDS(on)）を低減し、卓越した熱管理能力を実現します。ドライブ、 SMPS（ サーバー、 通信機器、OR-ingを含む）、バッテリー管理など、広範囲のアプリケーションに適した製品です。 

新しいパッケージ概念は、（ドレイン電位ではなく）ソース電位をサーマルパッドに接続します。新しいプリント基板（PCB）レイアウトの可能性を生むだけでなく、過去にない高電力密度と高性能の実現が可能です。ソースダウン標準ゲート版とソースダウン センターゲート版というフットプリントの異なる2種類のバージョンが、PQFN 3.3×3.3 mmパッケージで発売されます。ソースダウン標準ゲート版は、現行のPQFN 3.3×3.3 mmピンアウト構成に基づいています。電気接続の位置はこれまでと同じですので、現在の標準であるドレインダウンパッケージを新しいソースダウンパッケージに容易に1対1で置き換えることができます。センターゲート版では、ゲートピンを中央に移動し、複数のMOSFETの並列構成が容易にできるようになっています。ドレイン‐ソース間の沿面距離が長くなっているため、単一のPCB層上で複数デバイスのゲートを接続することが可能です。さらに、ゲート接続を中央に移すことでソース領域が広くなり、デバイスの電気接続が向上しています。  

この技術革新により、現行技術に比べ最大30%減というオン抵抗の大幅な低減を実現しました。ジャンクション‐ケース間熱抵抗（RthJC）も現行のPQFNパッケージと比較して大幅に向上しています。寄生要素の削減、PCB損失の低減、さらに極めて高い放熱性も実現しており、現代のあらゆるエンジニアリング設計に大きな付加価値を与えます。 

OptiMOS ^TM ソースダウン製品は、来る3月16～18日に米ルイジアナ州ニューオーリンズで開催されるパワーエレクトロニクス応用技術の見本市2020 Applied Power Electronics Conference and Exposition（APEC）において、インフィニオンの1510番ブースに展示される予定です。 

供給状況

OptiMOS ^TM ソースダウン25VパワーMOSFETのPQFN 3.3×3.3 mmパッケージは、どちらのバージョンもすでに提供が開始されています。詳細については www.infineon.com/pqfn-3-source-downをご覧ください。