電圧クラス650VのEiceDRIVER™に、ブートストラップダイオードを内蔵し、SOI技術による優れた堅牢性と高周波数スイッチング特性を実現した新たな製品を追加

2021/03/17 | マーケットニュース

2021年3月17日、ミュンヘン（ドイツ）
 
インフィニオン テクノロジーズ（FSE: IFX / QTCQX: IFNNY）は、650Vハーフブリッジのハイサイドおよびローサイドゲートドライバの新製品を発表し、EiceDRIVER™のラインアップを拡大しました。これらの新しいデバイスは、インフィニオン独自のシリコンオンインシュレータ（SOI）テクノロジーを採用しています。ブートストラップダイオードを内蔵する他、業界最高クラスの負のVS過渡電圧耐性を備えています。これらの機能により、部品点数の削減や小型化、MOSFETやIGBTなどの駆動回路でより堅牢な設計を可能にします。高速レベルシフト（FLS）ファミリは、 SMPSや UPSなどの高周波アプリケーションのほか、 産業用駆動機器や組込みインバータ、 家電製品、 パワーツール、ファンやポンプのモータ制御などにも対応しています。
 
EiceDRIVER 2ED2110S06Mは2.5Aの大電流ドライバ、EiceDRIVER 2ED2101/03/04は0.7Aの低電流ドライバです。低電流デバイスはDSO-8、2.5Aの大電流ドライバはDSO-16Wパッケージで提供されます。90nsの伝播遅延および最大10nsのタイトな遅延マッチングにより、従来のモータ制御アプリケーションだけでなく、500kHzの範囲の高周波スイッチングにも対応しています。2ED2110S06Mは、シャットダウン機能、またロジックグラウンドと電源グラウンドを個別に搭載しています。内蔵ブートストラップダイオードは30ΩのON抵抗で、超高速の逆回復性能を提供します。
 
300ns幅の繰り返しパルスを発生させても、−100Vの負のVS過渡電圧耐性を備えており、優れた堅牢性と信頼性の高い動作を実現しています。また、クロスコンダクション防止ロジックを用いたデッドタイム機能と、ハイサイドおよびローサイドのそれぞれで独立した低電圧ロックアウト（UVLO）機能を内蔵することで、安全な動作を実現しています。EiceDRIVER 2ED2110S06Mおよび2ED2101/03/04 S06Fは、前世代品となるIR(S)2110/2113SおよびIR(S)2101/03/04Sとの置き換えが可能です。
 
供給状況
EiceDRIVER 2E2110Sおよび2ED2101/03/04は、2kV HBM ESDに対応し、業界標準のDSO-8（SOIC8）およびDSO-16Wパッケージで提供されます。詳細については、 www.infineon.com/SOIをご覧ください。

Information Number

INFIPC202103-049j

Press Photos

  • The 650 V fast level-shift SOI EiceDRIVER™ family from Infineon features a negative VS transient voltage immunity of -100 V with repeating 300 ns wide pulses. Integrated dead-time with cross-conduction logic and independent under-voltage lockout (UVLO) for high and low side voltage supplies provide safe operation.
    The 650 V fast level-shift SOI EiceDRIVER™ family from Infineon features a negative VS transient voltage immunity of -100 V with repeating 300 ns wide pulses. Integrated dead-time with cross-conduction logic and independent under-voltage lockout (UVLO) for high and low side voltage supplies provide safe operation.
    DSO-8-27

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  • The 650 V fast level-shift SOI EiceDRIVER™ family from Infineon features a negative VS transient voltage immunity of -100 V with repeating 300 ns wide pulses. Integrated dead-time with cross-conduction logic and independent under-voltage lockout (UVLO) for high and low side voltage supplies provide safe operation.
    The 650 V fast level-shift SOI EiceDRIVER™ family from Infineon features a negative VS transient voltage immunity of -100 V with repeating 300 ns wide pulses. Integrated dead-time with cross-conduction logic and independent under-voltage lockout (UVLO) for high and low side voltage supplies provide safe operation.
    PG-DSO-16

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