インフィニオン、スタティックスイッチングアプリケーション用のMOSFETで600V CoolMOS™ S7ファミリーを拡充
2021年4月8日、ミュンヘン（ドイツ）
MOSFETが低周波でスイッチされるアプリケーションでは、ハイパワー製品の設計においては複数の重要な特性が求められます。それは、低コストで最高の品質を維持しながら、導通損失を最小限に抑え、最適な熱特性とシステムの小型化、軽量化の実現です。これらの条件を満たすために、インフィニオン テクノロジーズAG（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は、 600V CoolMOS™ S7ファミリーにスタティックスイッチングアプリケーション用に最適化された2つの製品を追加、拡充します。その新製品は、産業用グレードのCoolMOS S7 10 mΩおよび車載用グレードのCoolMOS S7Aです。
CoolMOS S7 10 mΩは、600 VのスーパージャンクションMOSFETとしては特有な低オン抵抗（R DS(on)）を備えており、既製の ソリッドステートリレー（SSR）など、最小限の導通損失を重視するアプリケーションに最適です。一方、車載用グレードのCoolMOS S7Aは、高電圧（HV）eFUSE、 HV eDisconnectバッテリー切断スイッチ、 車載充電器などの車載用アプリケーションにおけるハイパワーかつパフォーマンス設計向けのソリッドステート回路遮断器（SSCB）およびダイオードの並列化／置換によって設定されるシステム性能要件に対応しています。
本製品ファミリーは、定評あるCoolMOS 7テクノロジー プラットフォームの最適化により開発されました。この製品はスタティックスイッチングや大電流アプリケーション向けに強化されています。それにより、新製品は、導通性能、エネルギー効率、電力密度および熱抵抗の改善をさらに重視し、最高の品質水準で最高の価格性能比を提供できます。
CoolMOS S7 10 mΩおよびCoolMOS S7Aチップは、業界で最も低いR DS(on)と、クラス最高のR DS(on)×A×コストを備えます。また、これらのチップは革新的な上部に冷却加工された（TSC）QDPAK SMDパッケージに組み込まれており、優れた熱特性を示すことで、TO-247などのTHDデバイスに代わる小型化を実現しています。さらに、THDからQDPAKを用いた表面実装型デバイスに移行することで、高さを94％削減することができ、より高い電力密度のソリューションを提供できます。CoolMOS™ S7 10 mΩおよびCoolMOS S7Aの低い導通損失により、設計者はフォームファクタを変更することなく、ヒートシンクのサイズを最大80%制限し、電流および電圧の定格を拡張することができます。
供給状況
CoolMOS S7 10 mΩおよびCoolMOS S7A製品は、TSC QDPAKパッケージ（HDSOP-22-1）にて現在注文可能です。詳細については、 www.infineon.com/s7をご覧ください。
Information Number
INFPSS202104-056j
Press Photos
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The CoolMOS™ S7 10 mΩ and CoolMOS S7A chips come with the lowest RDS(on) in the market. Additionally, they have been integrated into an innovative top-side cooled QDPAK SMD package, which offers excellent thermal behavior, making it a smaller alternative to THD devices such as TO-247.600_V_CoolMOS_S7JPG | 344 kb | 1535 x 912 px
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The CoolMOS™ S7 10 mΩ and CoolMOS S7A chips come with the lowest RDS(on) in the market. Additionally, they have been integrated into an innovative top-side cooled QDPAK SMD package, which offers excellent thermal behavior, making it a smaller alternative to THD devices such as TO-247.600_V_CoolMOS_S7AJPG | 344 kb | 1535 x 912 px
