インフィニオン、パワーエレクトロニクスシステム向けの汎用的な短絡保護回路を搭載したゲートドライバ EiceDRIVER™ F3 Enhanced を発表

2022/03/07 | マーケットニュース

2022 年2 月22 日、ミュンヘン(ドイツ)

パワーエレクトロニクスの高電力密度化により、システム効率を高めることが重要な課題となっています。しかし、回路短絡が発生した場合、高価なシステム全体が危険にさらされてしまいます。これを防止し、最高の保護機能を備えたシステムを実現するために、インフィニオンテクノロジーズ（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は、絶縁型ゲートドライバEiceDRIVER™ Enhanced のポートフォリオを拡張する F3 Enhanced (1ED332x) ファミリーを発表しました。このゲートドライバファミリーは、破壊的な短絡を防止するために、信頼性が高く多用途な保護機能を実装しています。これにより、IGBT のような従来のパワースイッチとCoolSiC™ワイドバンドギャップデバイスの両方を保護します。このドライバファミリーは、 産業用ドライブ、 ソーラーシステム、 高速EV 充電、 エネルギー貯蔵システム、業務用 エアコン、その他のアプリケーション向けに設計されています。

EiceDRIVER F3 Enhanced は、300 mil ワイドボディDSO 16 パッケージに搭載され、沿面距離は8 mm と大きくとられています。このシングルチャネル絶縁ゲートドライバは、極めて高い最大同相モード過渡耐性（CMTI）300 kV/us と、最大出力電流8.5 A を保証します。またこのドライバファミリーは、短絡クランプ、アクティブシャットダウン、アクティブミラークランプを備えています。

このデバイスは、広い電源範囲に対応し、絶対最大出力電圧40 V を保証しています。さらに、このドライバファミリーは、高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに適しており、過酷な環境に最適な製品です。従来のIGBT だけでなく、IGBT7、SiC（炭化ケイ素）MOSFET にとって理想的な製品となっています。さらに、2300 V の高耐圧により、耐圧1200 V を超えるパワースイッチにも対応しています。UL 1577 およびVDE 0884-11（強化絶縁）認証により、高いアプリケーション信頼性と長寿命を保証します。

供給体制について

EiceDRIVER™ F3 Enhanced と評価ボード EVAL-1ED3321MC12N は、現在ご注文を受け付けております。詳細については、 こちらのリンクをご参照ください。

インフィニオンのエネルギー効率への貢献に関する詳細情報は、 こちらのリンクをご参照ください。

Information Number

INFIPC202202-057j

Press Photos

  • The EiceDRIVER™ F3 Enhanced is designed for wide power ranges and support 40 V absolute maximum output voltage. In addition, the driver family is suitable for operation at high ambient temperatures and in fast switching applications, making it perfect for rugged environments. As a result, it is ideally suited for conventional IGBTs, IGBT7 and silicon carbide (SiC) MOSFETs. Moreover, with its 2300 V capability, it supports power switches beyond 1200 V blocking voltage. UL 1577 and VDE 0884-11 (reinforced isolation) certifications ensure high application reliability.
    The EiceDRIVER™ F3 Enhanced is designed for wide power ranges and support 40 V absolute maximum output voltage. In addition, the driver family is suitable for operation at high ambient temperatures and in fast switching applications, making it perfect for rugged environments. As a result, it is ideally suited for conventional IGBTs, IGBT7 and silicon carbide (SiC) MOSFETs. Moreover, with its 2300 V capability, it supports power switches beyond 1200 V blocking voltage. UL 1577 and VDE 0884-11 (reinforced isolation) certifications ensure high application reliability.
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  • The EiceDRIVER™ F3 Enhanced is designed for wide power ranges and support 40 V absolute maximum output voltage. In addition, the driver family is suitable for operation at high ambient temperatures and in fast switching applications, making it perfect for rugged environments. As a result, it is ideally suited for conventional IGBTs, IGBT7 and silicon carbide (SiC) MOSFETs. Moreover, with its 2300 V capability, it supports power switches beyond 1200 V blocking voltage. UL 1577 and VDE 0884-11 (reinforced isolation) certifications ensure high application reliability.
    The EiceDRIVER™ F3 Enhanced is designed for wide power ranges and support 40 V absolute maximum output voltage. In addition, the driver family is suitable for operation at high ambient temperatures and in fast switching applications, making it perfect for rugged environments. As a result, it is ideally suited for conventional IGBTs, IGBT7 and silicon carbide (SiC) MOSFETs. Moreover, with its 2300 V capability, it supports power switches beyond 1200 V blocking voltage. UL 1577 and VDE 0884-11 (reinforced isolation) certifications ensure high application reliability.
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