インフィニオン、CoolSiC™ポートフォリオを２ｋV クラスに拡大、 DC 1500V アプリケーション向けのシンプルで高電力密度のソリューションを実現

2022/05/23 | マーケットニュース

2022年5月10日、ミュンヘン(ドイツ)

 

高電力密度に対する要求の高まりにより、アプリケーション設計において1500VのDCリンクを採用し、インバータあたりの定格電力増加やシステムコスト低減を図っています。しかし、DC 1500 Vベースのシステムは、高DC電圧での高速スイッチングなど、システム設計上の課題も多く、一般的にマルチレベル トポロジーが必要とされています。このため、設計が複雑化し、部品点数も比較的多くなります。この課題に対処するため、インフィニオン テクノロジーズ(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)は、次世代の 太陽光発電、 EV充電、 エネルギー貯蔵システムの基盤となる高電圧ソリューションを備えたCoolSiC™ ポートフォリオを拡充しました。

 

CoolSiCのポートフォリオ拡張で、2 kV　SiC(炭化ケイ素) MOSFETと、最大DC 1500 Vのアプリケーション向けの2  kV　SiC ダイオードを新たに提供します。新しいSiC MOSFETは、低スイッチング損失と高ブロッキング電圧の両方を1つのデバイスにまとめ、DC 1500Vシステムの要件に最適に対応することができるようになりました。新しい2  kV CoolSiCテクノロジーは、低オン抵抗(RDS(on))値を実現し、また、頑丈なボディダイオードはハードスイッチングに適しています。この技術により、過電圧に対する十分なマージンを確保し、1700 VのSiC MOSFETと比較して、宇宙線によるFIT率を10分の1に低減することができます。さらに、ゲート電圧の動作範囲が広いため、使い勝手の良いデバイスとなっています。

 

この新しいSiC MOSFETチップは、先日発表したインフィニオンの最新のSiC MOSFET技術であるM1Hをベースにしています。この最新技術により、ゲート電圧の駆動範囲が大幅に拡大され、特性オン抵抗が改善されました。同時に、この大きなゲート電圧範囲は、高いスイッチング周波数においても、ドライバやレイアウトに起因するゲート電圧のピークに対して、制約なく高い堅牢性を提供します。インフィニオンはまた、2 kVのSiC MOSFET向けに、最大2.3 kVの絶縁型EiceDRIVER™ゲート ドライバのラインナップを提供しています。

 

供給体制について

2 kV CoolSiC MOSFETのサンプルは、EasyPACK™ 3Bおよび62mmモジュールで現在入手可能であり、その後新しい高電圧ディスクリートTO247-PLUSパッケージで入手できます。さらにインフィニオンは、2.3 kV絶縁対応のEiceDRIVERによるデザインイン エコシステムを提供します。1500 VのPVストリング インバータのMPPTステージとして機能する4つの昇圧回路を備えたパワーモジュール、Easy 3B（DF4-19MR20W3M1HF_B11）の生産開始は2022年第3四半期、ハーフブリッジ構成の62mmモジュール（3、4、6 mΩ）は第4四半期に予定されています。受賞歴のある最新の.XT相互接続技術を利用したディスクリートデバイスは、2022年末に発売予定です。詳細な情報は こちら をご覧ください。

  

インフィニオンのエネルギー効率への貢献については、インフィニオンの 「エネルギー効率」のWebサイトをご覧ください。

 

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、暮らしをより便利に、安全に、エコに革新する半導体分野の世界的リーダーです。明るい未来の扉を開く鍵になる半導体をつくることが、私たちの使命だと考えています。2021会計年度(9月決算) の売上高は約111億ユーロ、従業員は世界全体で約50,280人です。

 

インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場 (銘柄コード: IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード: IFNNY) に株式上場しています。

Information Number

INFIPC202205-079j

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  • The extended CoolSiC portfolio offers 2 kV silicon carbide (SiC) MOSFETs, along with a 2kV SiC diode for applications up to 1500 VDC. The new SiC MOSFET combines both low-switching losses and high-blocking voltage in one device that can optimally meet the requirements of 1500 VDC systems. The new 2 kV CoolSiC technology offers a low drain-source on resistance (RDS(on)) value. In addition, the rugged body diode is suitable for hard switching. Furthermore, the extended gate voltage operating range makes the devices easy to use.
    The extended CoolSiC portfolio offers 2 kV silicon carbide (SiC) MOSFETs, along with a 2kV SiC diode for applications up to 1500 VDC. The new SiC MOSFET combines both low-switching losses and high-blocking voltage in one device that can optimally meet the requirements of 1500 VDC systems. The new 2 kV CoolSiC technology offers a low drain-source on resistance (RDS(on)) value. In addition, the rugged body diode is suitable for hard switching. Furthermore, the extended gate voltage operating range makes the devices easy to use.
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  • The extended CoolSiC portfolio offers 2 kV silicon carbide (SiC) MOSFETs, along with a 2kV SiC diode for applications up to 1500 VDC. The new SiC MOSFET combines both low-switching losses and high-blocking voltage in one device that can optimally meet the requirements of 1500 VDC systems. The new 2 kV CoolSiC technology offers a low drain-source on resistance (RDS(on)) value. In addition, the rugged body diode is suitable for hard switching. Furthermore, the extended gate voltage operating range makes the devices easy to use.
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