インフィニオン、PQFNデュアルサイド クーリング25-150VポートフォリオがOptiMOS™ソースダウン パワーMOSFETファミリーに登場

2022/12/22 | マーケットニュース

2022年12月15日、ミュンヘン (ドイツ)

 

将来のパワー エレクトロニクス システムの設計は、最先端の性能と電力密度の向上を継続的に推し進めています。この流れをサポートするため、インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、ボトムサイド (BSC) およびデュアルサイド クーリング (DSC) のバリエーションを持つ25-150 Vクラスの新しいソースダウン3.3 x 3.3 mm² PQFN製品ファミリーを発表します。この新製品ファミリーは、DC-DC電力変換において魅力的なソリューションを提供するためにコンポーネント レベルで大幅な機能強化を図っており、 サーバー、 通信インフラ、OR-ing、 バッテリー保護、 パワーツール、充電器といったアプリケーションにおけるシステム革新の可能性を切り開くものとなっています。

 

この新しいポートフォリオは、インフィニオンの最新のMOSFET技術と最先端のパッケージングを組み合わせ、システム性能を次のレベルに引き上げるものです。ソースダウン (SD) コンセプトでは、MOSFETダイのソース コンタクトがパッケージのフットプリント側に反転され、その後PCBにはんだ付けされます。さらに、このコンセプトは、ドレイン コンタクトのためにチップ上部のクリップ デザインを改良し、市場をリードするチップ対パッケージの面積比を実現しています。

システムの小型化が進む中、電力損失の低減と最適な熱管理という2つの重要なポイントがあります。クラス最高のPQFN 3.3 x 3.3 m²ドレインダウン デバイスと比較して、新しいファミリーはオン抵抗 (RDS (on) ) を最大25%と大幅に低減しました。インフィニオンのデュアルサイド クーリング搭載OptiMOS™ソースダウンPQFNは、熱インターフェースを強化し、スイッチからの電力損失をヒートシンクに向けさせることができます。デュアルサイド クーリングは、電源スイッチをヒートシンクに接続する最も直接的な方法を提供し、対応するソースダウン構造のボトムサイド クーリングと比較して、最大3倍まで電力許容損失量を向上させることができます。

 

フットプリントの異なる2つのバリエーションがあり、PCBの配線に高い柔軟性を提供します。従来のスタンダードゲート版は、既存のドレインダウン設計を迅速かつ容易に変更することができます。また、センターゲート (CG) 版は、ドライバーとゲートの接続を可能な限り短くするためにデバイスを並列化する新しい可能性を提供します。最大298Aという優れた連続電流性能を持つOptiMOS™ソースダウンPQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150V製品ファミリーは、最高のシステム性能を実現します。

 

供給体制について

OptiMOS™ソースダウンPQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150V製品ファミリーは、スタンダードゲート版とセンターゲート版の2つのバリエーションがあります。両製品ともデュアルサイド クーリング パッケージで、現在、注文を受け付けています。より詳細な情報は、 こちらで入手できます。

 インフィニオンのエネルギー効率への貢献に関する詳細情報は、 こちら。

Information Number

INFPSS202212-039j

Press Photos

  • Infineon’s OptiMOS Source-Down PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V product family includes two footprint versions, Standard- and Center-Gate. Compared to best-in-class PQFN 3.3 x 3.3 m² Drain-Down devices, the new family significantly improves the on-resistance (RDS(on)) by up to 35 percent. With a Dual-Side Cooling package it provides an enhanced thermal interface to redirect power losses from the switch towards the heatsink increasing power dissipation capability by a factor of up to three compared to the corresponding Bottom-Side Cooled Source-Down variant.
    Infineon’s OptiMOS Source-Down PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V product family includes two footprint versions, Standard- and Center-Gate. Compared to best-in-class PQFN 3.3 x 3.3 m² Drain-Down devices, the new family significantly improves the on-resistance (RDS(on)) by up to 35 percent. With a Dual-Side Cooling package it provides an enhanced thermal interface to redirect power losses from the switch towards the heatsink increasing power dissipation capability by a factor of up to three compared to the corresponding Bottom-Side Cooled Source-Down variant.
    OptiMOS_Source-Down_DSC_WHSON

    JPG | 479 kb | 2146 x 1149 px

  • Infineon’s OptiMOS Source-Down PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V product family includes two footprint versions, Standard- and Center-Gate. Compared to best-in-class PQFN 3.3 x 3.3 m² Drain-Down devices, the new family significantly improves the on-resistance (RDS(on)) by up to 35 percent. With a Dual-Side Cooling package it provides an enhanced thermal interface to redirect power losses from the switch towards the heatsink increasing power dissipation capability by a factor of up to three compared to the corresponding Bottom-Side Cooled Source-Down variant.
    Infineon’s OptiMOS Source-Down PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V product family includes two footprint versions, Standard- and Center-Gate. Compared to best-in-class PQFN 3.3 x 3.3 m² Drain-Down devices, the new family significantly improves the on-resistance (RDS(on)) by up to 35 percent. With a Dual-Side Cooling package it provides an enhanced thermal interface to redirect power losses from the switch towards the heatsink increasing power dissipation capability by a factor of up to three compared to the corresponding Bottom-Side Cooled Source-Down variant.
    OptiMOS_Source-Down_DSC_WHTFN

    JPG | 489 kb | 2156 x 1149 px