インフィニオンとインフィパワー、新エネルギー自動車用充電器市場での事業拡大に向けて協業
2023年9月20日、ミュンヘン (ドイツ) 、深圳 (中国)
SiC (炭化ケイ素) ベースのパワー半導体は、高効率、高電力密度、高耐圧、高信頼性などの利点を備えています。これにより、新しいアプリケーションやEVチャージャーの技術向上の機会が生まれます。インフィニオン テクノロジーズ (FSE:IFX / OTCQX:IFNY) は本日、EVチャージャーで中国市場を牽引するインフィパワー (Infypower)との協業を発表しました。インフィニオンは、業界をリードする1200V CoolSiC™ MOSFETパワー半導体デバイスをインフィパワーに提供し、電気自動車 (EV) の充電ステーションの効率を向上させます。
インフィニオンのグリーン インダストリアル パワー事業部プレジデントであるピーター バーウァーは「インフィニオンとインフィパワーの電気自動車 (EV) 用充電ソリューション分野での協業は、地域のEV充電ステーション業界に優れたシステムレベルの技術ソリューションをもたらします。充電効率を大幅に改善し、充電速度を上げ、EVの所有者により良いユーザー体験を提供します」と述べています。
インフィパワー チャイナの社長のQiu Tianquan氏は「インフィニオンの20年以上にわたるSiC製品の継続的な進歩と統合技術の強みにより、インフィパワーは最先端の製品プロセスと設計ソリューションを採用することで、業界における技術的に卓越した地位を確実にし、維持することができます。また、EV用DCチャージャーの充電効率の新しいスタンダードを設定することができます。その結果、顧客はより多くの利便性と独自の価値を享受することができ、EV充電業界の健全な発展を促進することができます」と述べています。
SiCの高電力密度により、高性能で軽量、コンパクトな充電器、特にスーパーチャージング ステーションや超小型の壁掛けDC充電ステーションの開発が可能になります。従来のSi (シリコン) ベースのソリューションと比較して、EV充電ステーションにおけるSiC技術は、効率を1%向上させ、エネルギー損失と運用コストを削減することができます。100 kWの充電ステーションでは、これは1kWhの節電に相当し、年間270ユーロの節約と3.5トンのCO 2排出量削減につながります。このため、EV充電モジュールへのSiCパワー デバイスの採用が増加しています。
インフィニオンは、トランジスタにトレンチゲート技術を採用した最初のSiCパワー半導体メーカーとして、EVチャージャーに高い信頼性をもたらす先進的な設計を導入しました。このデバイスは、高いしきい値電圧と簡素化されたゲート駆動を提供します。CoolSiC™ MOSFETテクノロジーは、市場リリース前にマラソン ストレス テストとゲート電圧ジャンプ ストレス テストを実施し、その後も定期的にモニタリングすることで、最高のゲート信頼性を確保しています。
インフィニオンの 1200 V CoolSiC™ MOSFET を統合したインフィパワーの 30 kW DC 充電モジュールは、広い定電力範囲、高電力密度、最小限の電磁放射と干渉、高い保護性能、高信頼性を提供します。このように、ほとんどのEVの急速充電需要に適していると同時に、市場の他のソリューションと比較して1%高い効率を有しています。その結果、大幅なエネルギー節約とCO 2排出量の削減が達成され、世界的なレベルでリードしています。
インフィパワーについて
2014年に設立され、深センに本社を置くインフィパワーは、パワー エレクトロニクスとインテリジェント制御に特化した世界的に著名なハイテク企業です。数十年にわたる業界経験と世界的な拡大を生かし、この分野の進歩と発展の先頭に立ち続けています。EV充電モジュール、スマート エネルギー ルーター、スーパーチャージング ステーション、太陽光発電蓄電システムなど、数多くの高性能ソリューションを顧客に提供しています。EV充電業界のリーダーとして、インフィパワーは常に大きな影響力を行使してきました。業界のパイオニアとして、充電器モジュールの設計にSiCソリューションを採用した最初のメーカーの一つです。さらに、インフィニオンのSiCソリューションを最初に活用した最初の企業の一つでもあります。詳細情報は www.infypower.com.をご覧ください。
インフィニオンの充電ソリューションに関する詳細は、以下をご覧ください。 www.infineon.com/ev-charging
インフィニオンのエネルギー効率への貢献に関する詳細は、 www.infineon.com/green-energyをご覧ください。
Information Number
INFGIP202309-150j
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As one of the first SiC power semiconductor manufacturers to use trench gate technology for transistors, Infineon has introduced an advanced design that provides high reliability for chargers. The devices offer a high threshold voltage and simplified gate driving . The CoolSiC MOSFET technology has been subjected to marathon stress tests and gate voltage jump stress tests before commercial release and regularly afterwards in form of monitoring to ensure highest gate reliability.Infypower-30-kW-EV-charging-power-module
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