インフィニオン、CoolSiC™ポートフォリオの新製品62 mmパッケージを発表 効率と電力密度の向上によりエンジニアをサポート

2023年11月20日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は本日、新しい業界標準パッケージを採用したCoolSiC™ 1200 Vおよび2000 V MOSFETモジュール ファミリーの拡張を発表しました。ハーフブリッジモジュールとして実績のある62 mmモジュールに、最新のCoolSiC™ MOSFET M1H テクノロジーを新たに採用しています。CoolSiC™テクノロジーの採用により、Si IGBTでは電力密度の限界に達する、250 kW以上の中電力アプリケーションでSiCを使用できるようになります。62 mm IGBTモジュールと比較すると、 太陽光発電システム、 サーバー、 蓄電システム、 EV充電器、 トラクション、商業IH調理システム、電力変換システムなどが新しく対象アプリケーション リストに追加されました。

M1Hテクノロジーによりゲート駆動電圧範囲が大幅に広がり、高スイッチング周波数においても、ドライバーおよびレイアウトに起因するゲート電圧スパイクに対する高い堅牢性が制限なく保証されます。さらに、スイッチング損失および導通損失が極めて低いため、冷却要件が最小限に抑えられます。これらのデバイスは、高い逆電圧と相まって最新のシステム設計におけるもう1つの要件も満たします。インフィニオンのCoolSiC™ M1Hテクノロジーを使用することにより、コンバーター設計の効率が向上し、インバーターあたりの定格電力が増加し、システムコストを削減することができます。

ベースプレートとネジ端子を備えたこのパッケージは、最高のシステム可用性、最小限のサービスコストとダウンタイム損失に最適化された極めて堅牢な機械的設計を特徴としています。高い熱サイクル性能と150 °Cの連続動作温度 (T _vjop) により優れた信頼性が得られます。対称的な内部パッケージ設計により、上側と下側のスイッチに同一のスイッチング条件が適用されます。熱伝導材料 (TIM) を事前に塗布するオプションにより、モジュールの熱性能をさらに向上させることができます。

供給状況について

CoolSiC™ 62 mmパッケージのMOSFETは、5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A、および1 mΩ/560 Aの1200 Vバリアントを供給中です。2000 Vのポートフォリオには、4 mΩ/300 Aと3 mΩ/400 Aのバリアントが含まれる予定です。これらのポートフォリオは、1200 V/3 mΩと2000 V/5 mΩのバリアントで2024年第1四半期 (2024年1-3月) に完成する予定です。モジュールの迅速な特性 (ダブル パルス／連続動作) 評価用の評価ボードも供給中です。これは、使いやすさを考慮してゲート電圧とゲート抵抗を柔軟に調整することができます。これはまた、量産用ドライバー ボードのリファレンス デザインとして使用することもできます。詳細は www.infineon.com/SiCをご覧ください。

インフィニオンのエネルギー効率テクノロジーに関する詳細は www.infineon.com/green-energyをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,600人の従業員を擁し、2023年会計度 (2022年10月～2023年9月) の売上高は約163億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX) 、米国では店頭取引市場のOTCQX  (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウェブサイト www.infineon.com/jp

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