インフィニオン、CoolSiC™ MOSFET製品群に650 V TOLLポートフォリオを追加し、より優れた熱性能、電力密度、容易な組み立てを実現

2023年7月19日、ミュンヘン (ドイツ)

デジタル化、都市化、エレクトロモビリティの台頭が急速に進む世界では、電力消費に対する需要はかつてないレベルに達しています。インフィニオン テクノロジーズ (FSE：IFX/OTCQX:IFNY) は、こうした大きな流れに対応するため、TO-Leadless (TOLL) パッケージの炭化ケイ素 (SiC) 製品のCoolSiC™ MOSFET 650 Vを発表しました。本製品は、インフィニオンの包括的なCoolSiC™ ポートフォリオを強化するもので、 サーバー電源、 通信インフラ、 エネルギー貯蔵システム、 バッテリー フォーメーション ソリューションなどの用途向けに、低損失、高信頼性、使いやすさを実現するために最適化されています。

CoolSiC™ 650 V高性能トレンチ ベース パワーSiC MOSFETは、さまざまなターゲット アプリケーションに最適な非常にきめ細かいポートフォリオで提供されます。この新たな製品ファミリーは、低い寄生インダクタンスを特長とするJEDEC認定TOLLパッケージになっており、より高いスイッチング周波数、スイッチング損失の低減、優れた熱管理、パッケージの自動組立を可能にします。コンパクトなフォーム ファクターで、ボード スペースの効率的、効果的な利用を可能にし、システム設計者が卓越した電力密度を達成することを支えます。

CoolSiC™ MOSFETs 650 Vは、厳しい環境下でも顕著な信頼性を示し、繰り返すハードコミュテーションのトポロジーにとって理想的な選択肢となります。革新的な .XT相互接続技術が採用されているため、熱抵抗 (Rth) と熱インピーダンス (Zth) が低減されることで、デバイスの熱性能をさらに向上させます。さらに、寄生ターンオンに強い4 V以上のゲート閾値電圧 (VGS(th))、堅牢なボディダイオード、市場で最も強固なゲート酸化膜 (GOX) により、極めて低いFIT (Failure in Time) レートを実現しています。

一般的に駆動回路を簡素化するため、カットオフ電圧 (VGS(off)) は0 Vが推奨されます (ユニポーラ駆動) が、新しい製品群は、-5 V (ターンオフ) ～23 V (ターンオン) の範囲内でVGS電圧の広い駆動間隔をサポートしています。これにより、使いやすさと、他のSiC MOSFETや標準的なMOSFETゲートドライバーICとの互換性が保証されます。これは、より高い信頼性、システムの複雑性の低減、パッケージの自動組立の実現と相まって、システムと生産コストを削減し、市場投入までの時間を短縮します。

供給状況について

この新しいTOLL産業用グレード ディスクリートのCoolSiC™ MOSFET 650 Vは、22～83 mΩの様々なドレイン ソース オン抵抗 (RDS(on)) オプションがあり、現在注文を受け付けています (107、163 mΩ、260 mΩバージョンはオンデマンドで入手可能)。詳しくは、 www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretesをご覧ください。