インフィニオン、CoolSiC™ ショットキー ダイオード2000 Vを発表

2024年10月23日、ミュンヘン (ドイツ)

現在の産業用アプリケーションの多くは、電力損失を最小限に抑えながらより高い電力レベルへと移行しつつありますが、これは、DCリンク電圧を上げることによって実現できます。インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、この課題に対応する、耐圧 2000 Vクラスの市場初のディスクリート 炭化ケイ素ダイオードであるCoolSiC™ ショットキー ダイオード2000 V G5を発表しました。この製品ファミリーはDCリンク電圧が最大DC 1500 Vのアプリケーションに対応しており、定格電流は10～80 Aです。そのため、太陽光発電やEV充電アプリケーションなど、DCリンク電圧が高いアプリケーションに最適です。

この製品ファミリーは、沿面距離14 mm、空間距離5.4 mmのTO-247PLUS-4-HCCパッケージで提供されます。そのため、最大80 Aの定格電流とともに極めて高い電力密度が実現可能です。これによって、開発者はそのアプリケーションにおいて、1200 Vソリューションのわずか半分の部品数で、より高い電力レベルを実現することができます。したがって設計全体が簡素化され、マルチレベルのトポロジーから2レベルのトポロジーへのスムーズな移行が可能となります。

さらに、CoolSiC™ ショットキー ダイオード2000 V G5は、熱抵抗とインピーダンスを大幅に低減する.XT相互接合テクノロジーを利用しているため、より優れた熱管理が可能となります。その上、湿度に対する堅牢性もHV-H3TRB信頼性試験で実証されました。このダイオードは、逆回復電流も順回復電流も発生せず、順方向電圧が低いのでシステムの性能が向上します。

この2000 Vのダイオード ファミリーは、インフィニオンが2024年春に発売したTO-247PLUS-4 HCCパッケージの CoolSiC™ MOSFET2000 Vとの組み合わせに最適です。CoolSiC™ダイオード2000 Vのポートフォリオは、TO-247-2パッケージに拡張されて2024年12月より提供される予定です。CoolSiC™ MOSFET 2000 Vに最適なゲート ドライバーのポートフォリオも利用可能です。

供給状況について

TO-247PLUS-4 HCCパッケージのCoolSiC™ ショットキー ダイオード2000 V G5ファミリーは現在供給中です。製品ファミリーの評価ボードも用意しています。詳細については www.infineon.com/coolsic-diode-2kVをご覧ください。

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,600人の従業員を擁し、2023年会計度 (2022年10月～2023年9月) の売上高は約163億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX) 、米国では店頭取引市場のOTCQX  (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウェブサイト www.infineon.com/jp

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