インフィニオン、8インチの自社ファブ製造の次世代CoolGaN™トランジスタ ファミリーを発表

2024/06/13 | マーケットニュース

2024年5月29日、ミュンヘン (ドイツ)

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、高電圧 (HV) および中電圧 (MV) の2つの新世代CoolGaN TMデバイスを発表しました。これにより、顧客はさらに幅広いアプリケーションにおいて、40 V~700 Vの電圧クラスで窒化ガリウム (GaN) を使用できるようになり、デジタル化と脱炭素化の推進に貢献します。これら2つの製品ファミリーは、クリム (マレーシア) とフィラッハ (オーストリア) の高性能な8インチの社内ファブ プロセスで製造されます。これによりインフィニオンは、CoolGaN™の優位性と生産量を拡大し、GaNデバイス市場に堅牢なサプライチェーンを確立します。Yole Groupによれば、この市場は今後5年間に46%の年平均成長率 (CAGR) で成長すると予測されています。

 

インフィニオンのパワー&センサー システムズ事業部プレジデントであるアダム ホワイト (Adam White) は「この発表は、昨年のGaNシステムズの買収の良好な結果であり、当社のお客様にとってまったく新しいレベルの効率性とパフォーマンスを市場にもたらします。インフィニオンの新世代の高電圧および中電圧向けCoolGaN™ファミリーは当社の製品の強みを実証します。また、これらはすべて8インチで生産され、ウエハー大口径化へのGaNの急成長を示しています。これらの新世代のGaN製品を使って、革新的なアプリケーションがお客様によって実現されるのを楽しみにしています」と述べています。

 

この新しい650 V G5ファミリーは、民生、データセンター、産業、および太陽光発電といったアプリケーションを対象としています。これらは、インフィニオンの次世代GITベースの高電圧製品です。8インチのプロセスで製造されるもうひとつの新しいファミリーは、中電圧のG3デバイスで、これには電圧クラス60 V、80 V、100 V、120 VのCoolGaN™トランジスタと40 V双方向スイッチ (BDS) デバイスが含まれます。中電圧のG3製品は、モータードライブ、通信、データセンター、太陽光発電、および民生用アプリケーションを対象としています。

 

供給状況について

CoolGaN™ 650 V G5は2024年第4四半期 (暦年) に、中電圧のCoolGaN™ G3は2024年第3四半期 (暦年) に発売予定で、サンプルは現在供給中です。詳細については こちらをご覧ください。

 

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,600人の従業員を擁し、2023年会計度 (2022年10月~2023年9月) の売上高は約163億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード:IFX) 、米国では店頭取引市場のOTCQX  (銘柄コード:IFNNY) に上場しています。ウェブサイト www.infineon.com/jp

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Press Photos

  • Infineon’s two new generations of high voltage (HV) and medium voltage (MV) CoolGaN™ devices enable customers to use GaN in voltage classes from 40 V to 700 V in a broader array of applications.
    Infineon’s two new generations of high voltage (HV) and medium voltage (MV) CoolGaN™ devices enable customers to use GaN in voltage classes from 40 V to 700 V in a broader array of applications.
    CoolGaN_Transistors_G3_and_G5

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