インフィニオン、最適なホットスワップとバッテリー保護を実現するOptiMOS™ Linear FET 2 MOSFETを発表

2024年11月13日、ミュンヘン (ドイツ)

AIサーバーおよび通信における安全なホットスワップ動作には、堅牢なリニア動作モードと低オン抵抗を持つMOSFETが必要です。インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、この課題に対応するため、トレンチMOSFETのオン抵抗と従来のプレーナー型MOSFETの広い安全動作領域 (SOA) の間で理想的なトレードオフを実現するように設計された、新しいOptiMOS™ 5 Linear FET 2を発表しました。このデバイスは、高い突入電流を制限して負荷の損傷を防ぎ、低いオン抵抗によって動作中の損失を最小限に抑えます。OptiMOS™ Linear FET 2は、前世代 (OptiMOS™ Linear FET) より高温でのSOAが向上し、ゲート漏れ電流を低減しました。そのため、コントローラーあたり並列接続可能なMOSFETの数が増え、部品表 (BOM) コストの削減を実現します。

100 V OptiMOS™ 5 Linear FET 2はTOリードレス パッケージ (TOLL) で提供され、同様のオン抵抗を持つ標準OptiMOS™ 5と比較して、54 VでのSOAが10 msで12 倍、100 µsでは3.5倍向上します。後者の改善は、短絡発生時にバッテリー管理システム (BMS) 内で実行されるバッテリー保護動作にとって特に重要です。システム設計と信頼性にとっては、このような状況での並列MOSFET間での電流分配が極めて重要です。OptiMOS™ 5 Linear FET 2は、電流共有の改善を可能にする最適化された伝達特性を備えています。広いSOAと改善された電流共有を考慮すると、短絡電流要件によってコンポーネント数が決まる設計でのコンポーネント数を最大60%削減することができます。そのため、電動工具、電動自転車、電動スクーター、フォークリフト、バッテリー バックアップ ユニット、バッテリー駆動車両など、幅広い用途で使用されるバッテリー保護機能で高い電力密度、効率、信頼性が実現されます。

供給状況について

新しいOptiMOS™ 5 Linear FET 2 MOSFETは現在供給中です。詳細については、 www.infineon.com/optimos-linearfetおよび www.infineon.com/ipt023n10nm5lf2をご覧ください。

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,060人の従業員を擁し (2024年9月末時点)、2024会計年度 (2023年10月～2024年9月) の売上高は約150億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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