EVAL-1ED3121MX12H

概要

Evaluation board for 1ED3121MX12H - 2300 V, 5.5 A, 5.7 kV (rms) single-channel isolated gate driver with separate output, UL 1577 certified, 10.5 V UVLO

The EVAL-1ED3121MX12H is in half-bridge configuration with two gate driver ICs (1ED3121MU12H) to drive power switches such as IGBTs and SiC MOSFETs. An additional gate driver IC is used for isolated over-current feedback signal from high voltage side to logic control side. Fast operational amplifier is used as comparator for over-current detection. This board is best suited for double-pulse testing.

1ED3121MU12H belongs to the EiceDRIVER™ Compact 1ED31xx family (X3 compact family). 1ED3121 offers separate sink and source output, accurate and stable timing, active shutdown to ensure a safe IGBT off-state in case the output chip is not connected to the power, short-circuit clamping to limit the gate voltage during short circuit. The driver can operate over a wide supply voltage range, either unipolar or bipolar.

特長

  • EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED31xxファミリー (X3コンパクトファミリー)
  • 最大2300VのIGBT、SiC、Si MOSFET用
  • 2300 Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
  • ガルバニック絶縁型コアレス トランス ゲートドライバー
  • シンクおよびソースのピーク出力電流5 A (Typ.)
  • 絶対最大出力電源電圧40 V
  • 伝搬遅延 (30nsの入力フィルター付き) 90ns
  • 高いコモンモード過渡耐性 CMTI >200 kV/μs
  • ソース/シンク 分離出力
  • 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
  • DSO-8 大きな沿面距離 (>8 mm) の300ミルワイドボディパッケージ
  • 低電圧保護(UVLO) 5V/12.5V (ヒステリシス特性)

利点

  • フィルターを内蔵しているため、外部フィルターが不要
  • ターンオン時のIC間伝搬遅延を7ns以下に抑えることで、経年変化や電流、温度による変化に対応し、アプリケーションの堅牢性を向上
  • 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
  • UL 1577 (予定) VISO = 6.8 kV (rms) × 1秒、7 kV (rms) × 1分
  • 出力間のタイトな伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムを最小限に抑え、システム効率の向上と高調波歪みを低減
  • 正確な閾値とタイミング、UL1577の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
  • 高い絶縁性により、1500V DCのソーラーアプリケーションに使用可能
トレーニング

EiceDRIVER™ X3 Compact: isolated driver with Miller Clamp / Sep-Out

  • The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
  • Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS

Watch now

  • EiceDRIVER™ 1ED Compact including 1ED-X3 compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
  • Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS.

Watch now

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

サポート