EVAL-1ED3122MX12H
1ED3122MX12H - 2300 V、10 A、5.7 kV（rms）アクティブミラークランプ付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー、UL 1577認証8 V UVLO用評価ボード
EVAL-1ED3122MX12Hは、ゲートドライバーIC（1ED3122MU12H）を2個搭載したハーフブリッジ構成で、IGBTやSiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動することができます。また、高電圧側からロジック制御側への過電流フィードバック信号を絶縁するために、ゲートドライバーICを追加搭載しています。過電流検出のためのコンパレータとして高速オペアンプを使用しています。ダブルパルステストに最適なボードです。
1ED3122MU12Hは、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリー（X3コンパクトファミリー）に属します。1ED3122は、アクティブミラークランプ、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合にIGBTを安全にオフ状態にするアクティブシャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキットクランピングを提供します。このドライバーは、広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラのいずれかで動作させることができます。
特長
- EiceDRIVER™ コンパクトな1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED32xxファミリー
- 650 V/1200 V/1700 V/2300 VのIGBT、SiおよびSiC MOSFETに使用可能。
- 2300 V の機能オフセット電圧に対応（特定用途向け)
- ガルバニック絶縁型コアレストランスゲートドライバー
- 10 A（標準）シンクおよびソースピーク出力電流
- 40 V 絶対最大出力電源電圧
- 90 ns の伝搬遅延（30 nsの入力フィルタが内蔵)
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI > 200 kV/μs
- アクティブミラークランプ
- 短絡クランプとアクティブシャットダウン
- DSO-8 300 mil ワイドボディパッケージ、大きな沿面距離 (>8 mm)
- ヒステリシス付き8V/10V 低電圧ロックアウト（UVLO）保護機能
利点
- 内蔵フィルターにより、外部フィルターの必要性を低減
- IC間ターンオン伝搬遅延のタイトなマッチング（最大7ns）、経年変化、電流、温度による変動がなくアプリケーションの堅牢性を向上させる耐性。
- 出力間の1ns 伝搬遅延マッチング
- UL 1577（予定） VISO = 6.8 kV (rms)1秒間 , 5.7 kV (rms)1分間
- IEC 60747-17/VDE 0884-11 VIORM=1767V（ピーク、強化）。
- 出力間の厳密な伝搬遅延マッチングにより、ディスクリートソリューションに比べ優れたスルーレート制御機能を実現します。
- 高精度なスレッショルドとタイミング、UL および VDE-11 認証により、優れたアプリケーションの安全性を実現します。
- 高い絶縁耐力、1700V ドライブインバーターアプリケーションに使用可能です。
- The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
- EiceDRIVER™ 1ED Compact including 1ED-X3 compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS.
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
