EVAL-1ED3142MU12F-SIC 1ED3142MU12F用評価ボード - 2300 V、6.5 A、3 kV (rms) シングルチャネル絶縁ゲートドライバー
概要
EVAL-1ED3142MX12F-SICは、2つのゲートドライバーIC (1ED3142MU12F) によるハーフブリッジ構成で、IGBT、MOSFET、SiC MOSFETなどのパワースイッチを駆動します。
本ボードには、2個のCoolSiC™ SiC MOSFET IMZA120R020M1Hが搭載されており、追加のゲートドライバーICは、高電圧側からロジック制御側への過電流フィードバック信号を絶縁し、高速オペアンプを過電流検出用コンパレータとして使用します。ダブルパルステストに最適です。
1ED3142MU12Fは、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリー (X3 Compactファミリー) に属します。1ED3142MU12Fは、アクティブ ミラークランプ、SiC MOSFETに対応した低電圧ロックアウト機能 (UVLO)、正確で安定したタイミング、出力チップが電源に接続されていない場合パワートランジスターを安全にオフ状態にするアクティブ シャットダウン、短絡時にゲート電圧を制限するショートサーキット クランピングを備えています。このドライバーはユニポーラ、バイポーラに関わらず、広い電源電圧で動作することが可能です。
特長
- EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED31xxファミリー (X3 Compactファミリー)
- 650 V, 1200 V, 1700 V, 2300 VのIGBT、SiC、Si MOSFET用
- 2300 Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
- ガルバニック絶縁型コアレス トランス ゲートドライバー
- シンクおよびソースのピーク出力電流: 6.5 A (Typ.)
- 絶対最大出力電源電圧: 35 V
- 伝搬遅延 (20nsの入力フィルター内蔵): 45 ns
- 高いコモンモード過渡耐性: CMTI >300 kV/μs
- ソース シンクが分離独立した出力
- 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
- DSO-8 150milナローボディ パッケージ
- ヒステリシス付き12.6 V/13.6 V 低電圧ロックアウト(UVLO)
利点
- 内蔵フィルターにより外付けフィルター不要
- 製品間ターンオン伝搬遅延マッチング (最大7 ns)、経年変化、電流、温度による変化がなく、アプリケーションの高い堅牢性を実現
- 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
- UL 1577 (予定) VISO = 3.6 kV (rms) × 1秒、3.0 kV (rms) × 1分
- タイトな部品間の伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムの最小化を実現し、システム効率の向上と高調波歪みの低減を両立
- 正確な閾値とタイミング、UL1577の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
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