EVAL-1ED3321MC12N

概要

EiceDRIVER™ F3 Enhanced（短絡保護機能付き）用評価ボード

EVAL-1ED3321MC12N は、短絡保護機能付きゲートドライバIC（1ED3321MC12N）を搭載したハーフブリッジ構成です。IGBT、SiC、Si MOSFET などのパワースイッチに適しています。TRENCHSTOP™ IGBT IKW40N120H3 が組み込み済みで、ダブルパルステストに最適な基板です。

1ED3321MC12N は、EiceDRIVER™ 1ED332xファミリー（F3 Enhancedファミリー）に属します。1ED3321は、短絡保護、アクティブミラークランプ、およびソフトオフを提供します。このドライバーIC は、独立したソース/シンク出力を実装し、広い電源電圧範囲、ユニポーラまたはバイポーラで動作し、部品間の伝搬遅延が厳密に一致します。

特長

  • EiceDRIVER™ 強化型シングルチャネル絶縁ゲートドライバ 1ED332xファミリー（F3 強化型ファミリー）
  • 最大2300 VのIGBT、SiC、Si MOSFET に対応
  • ガルバニック絶縁型コアレストランスフォーマーゲートドライバ
  • +6 A / -8.5 A（標準）シンクおよびソーシングピーク出力電流
  • フォルト出力付き高精度VCEsat 検出 (DESAT)
  • 非飽和検出後のソフトターンオフ
  • 絶対最大出力電圧40 V
  • 85 nsの伝搬遅延（35 nsの入力フィルタ付き)
  • 高いコモンモード過渡耐性 CMTI >300 kV/μs
  • ソースとシンクの分離出力
  • 短絡クランピングおよびアクティブシャットダウン
  • アクティブミラークランプ
  • DSO-16 300 mil ワイドボディパッケージ、沿面距離大 (>8 mm)
  • ヒステリシス付き11 V/12 V 低電圧ロックアウト(UVLO) 保護機能

利点

  • 内蔵フィルタにより外付けフィルタの必要性を低減
  • 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに適している
  • UL 1577 VISO = 6.8 kV (rms) 1秒, 5.7 kV (rms)  1分間
  • IEC 60747-17/VDE 0884-11でVIORM=1767 V（ピーク、強化絶縁）。
  • 部品間の伝搬遅延を厳密に一致させることにより（最大15ナノ秒）、デッドタイムを最小限に抑え、システム効率を向上させ、高調波歪みを低減させることができます。
  • 高精度なスレッショルドとタイミング、UL1577 認証により、優れたアプリケーションの安全性を実現します。
  • 高い絶縁性能により、DC1500 Vのソーラーインバータアプリケーションで使用することができます。
図
サポート