EVAL-1ED3491MX12M
概要
アクティブミラークランプ、調整可能なDESATおよびソフトオフを備えた 2300V/9A 1チャネル フレキシブル絶縁ゲートドライバ1ED3491Mx12M用評価ボード
EVAL-1ED3491MX12Mは、ゲートドライバIC（1ED3491MU12M）を2個使用したハーフブリッジ構成となっており、IGBTs、 SiC MOSFETsなどのパワースイッチを駆動することができます。スイッチの種類は自由に選ぶことができます。基板のサイズは、パワースイッチを組み付けていない状態で85×55×15mmとなっています。TRENCHSTOP™ IGBT IKW40N120H3またはCoolSiC™ MOSFET IMW120R030M1Hを推奨します。このボードは、ダブルパルスのテストや評価に最適です。低電圧供給インターフェースは、パルスジェネレータ、マイクロコントローラ、またはその他の適切なデジタル回路によって制御することができます。評価ボードには、一次側と二次側の電源が実装されています。
特長
- 両ゲートドライバーの二次側がガルバニック絶縁された電源
- 各ゲートドライブの調整機能のためにマーキングされた抵抗器
- フレキシブルなEiceDRIVER™ Enhanced 1チャネル 絶縁型ゲートドライバー 1ED34xxファミリー (X3アナログ ファミリー)
- ソース電流およびシンク電流 ±9A(typ.)
- 絶対最大出力電源電圧40 V
- ソース出力とシンク出力の分離
- アクティブ ミラークランプ (外付けMOSFET用クランプ ドライバー)
- 非飽和 (DESAT) フォルト検出機能を搭載した高精度なVCE(sat)検出
- 非飽和保護検出後のIGBTソフトターンオフ
- 外部抵抗を用いて入力側からパラメータを調整することができます。
- ADJB端子によるDESATフィルター時間の調整
- ADJA端子でソフトオフ電流レベルを調整可能
- マイクロコントローラーへのFLTとRDYのステータス信号
- 低電圧保護(UVLO) 11V/12V (ヒステリシス特性)
利点
- 160 °C (±10 °C)で加熱シャットダウン
- バラつきが非常に小さい伝搬遅延マッチング（最大30ns）
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI >200 kV/μs
- 125 °Cまでの高い周囲温度での動作に対応
- 沿面距離 (8mm以上) の小型省スペースDSO-16ファインピッチパッケージ
- UL 1577 (予定) VISO = 6 kV (rms) × 1秒、5 kV (rms) × 1分
- ソフトオフ機能を備えた調整可能なDESATを提供しながらも、外付け部品数が少ないため、迅速な設計サイクルが可能。
- 正確な閾値とタイミング、UL1577の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
- 信頼性の高いDESAT保護を必要とするあらゆるアプリケーション、また、アクティブミラークランプの活かして、コンパクトなPCBスペースが求められるアプリケーションに最適です。
トレーニング
- The EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog family (1ED34xx), with DESAT (adjustable filter time), Miller Clamp, soft-off (adjustable current)
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
- The new EiceDRIVER™ X3 Digital family (1ED38xx), with I2C-configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, two level turn off (TLTO).
- Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
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