EVAL-2ED2101-HB-LLC
概要
200W HB-LLC 500kHz評価ボード:2ED2101S 650V HS+LSドライバ、2ED24427N 24 Vローサイドドライバ搭載
EVAL-2ED2101-HB-LLCは、1次側ハーフブリッジ駆動用のSOIレベルシフトゲートドライバー2ED2101S06Fと、2次側整流段側の制御信号を絶縁するパルストランス付き2チャネル ローサイド ゲートドライバー2ED24427N01Fを搭載しています。また、同期整流出力段の駆動に、2ED24427N01Fを使用しています。高性能な共振コントローラーICE2HS01G、IPL60R650P6S 600V CoolMOS™ P6トランジスター、BSC022N04LS6 OptiMOS™スイッチなど、LLCコンバーターに必要な素子をすべて搭載しています。本評価ボードは、インフィニオンの薄膜SOI技術と、2次側で同期整流を行うHB-LLCコンバーターの高度な制御を示すものです。360 V〜425 Vの柔軟な入力DC電圧の場合、最大電流は7 A、12 Vの出力電圧になります。本トポロジーは、高出力の照明用パワーステージ、SMPS、UPS、サーバー電源、民生用電子機器のパワーブリック、低消費電力のEV充電用アプリケーション (E-Bike) など、多くのDC-DCアプリケーションで使用することができます。LLCコンバータの設計において、500kHzまでの高いスイッチング周波数と600kHz以上の軽負荷バーストを使用することで、EMIの低減、受動部品のサイズとフットプリントの削減、システム全体のサイズとBOMコストの削減などのシステム上の利点を提供することを目的としています。
特長
- 650 V HB-LLCダイレクトドライブのトポロジーにより、ハイサイドドライブ用パルストランスのコストとスペースが不要になります。
- 500kHzのスイッチングにより、共振部品のコストとサイズを削減
- トランスは共振型インダクタンスを内蔵し、さらなるコスト削減と小型化を実現
- 2ED2101S06Fの主な特長
- 650 V ハイサイドおよびローサイド SOIゲートドライバー
- -100 V / 300 ns 負のVSトランジェント電圧イミュニティ
- 超高速・低RONのブートストラップ・ダイオードを内蔵
- 500 kHz (代表値) のスイッチング周波数能力
- 10 ns 最大伝搬遅延マッチング
- 2ED24427N01Fの主な特長
- イネーブル付き24Vデュアルチャネルローサイドドライバ
- 標準±10A、最大+17A / -11A ソース/シンク
- 55nsの伝搬遅延で出力段の低抵抗化を実現
- サーマルグランド付きPSOIC-8パワーパッケージ
利点
- 補助電源とLLCアナログコンバータボードを備えた、完全なインフィニオン P2Sソリューション
- 650 V ダイレクトドライブHB-LLCトポロジーにより、ハイサイドスイッチを駆動用のパルストランスのコストとスペースが不要になります
- 500kHzのスイッチング周波数により、共振部品の小型化、低コスト化を実現
- 共振型インダクタンスをトランスに内蔵しているため、システムのコストとサイズをさらに削減
- インフィニオンHB-LL ZeroVoltageSwitching P2Sソリューションには、以下のものが含まれます。
- 2ED2101S01F HS+LS 650V SOIゲートドライバーによるパワーステージ設計
- IPL60R650P6S - Primary HV 600 V CoolMOS™ P6 MOSFETを用いたパワースイッチングステージ
- 2ED24427N01Fデュアル ローサイド ドライバーと同期整流段
- BSC022N04LS整流用OptiMOS™ MOSFETを搭載したSyncRecパワーステージ
- ICE2HS01G - LLCアナログコントローラーボードまたは独自のマイクロコントローラ
- ICE5QSAGフライバックコントローラー
図
トレーニング
サポート