EVAL-2ED2106 ブートストラップダイオード 内蔵650 V/0.7 A、ハイサイド/ローサイドゲートドライバー2ED2106S06F用評価ボード

概要

本評価ボードには、ハーフブリッジ構成のゲートドライバーIC 2ED2106S06Fと2つのMOSFET、IPD60R360P7が搭載されています。インフィニオン シリコン オン インシュレータ (SOI) ゲート ドライバーの基本機能を評価し、その特長を明らかにできるよう設計されています。ユーザーは、PWM入出力性能のテスト、伝搬遅延の確認、電流耐量、高スイッチング周波数性能を試験できます。本ボードはダブルパルステストにも使用できます。

特長

  • 最大で+650Vの動作電圧 (VSノード)
  • インフィニオンのSOIテクノロジーを使用
  • 負のVS過渡耐性100V
  • 低抵抗ブートストラップダイオード内蔵
  • ブートストラップ動作用に設計
  • 最大電源電圧25V
  • 低電圧ロックアウト (UVLO)
  • 200nsの伝播遅延
  • VSピンにおいて-11Vまでロジック回路動作可能
  • 入力において-5Vの負電圧を許容

利点

  • 部品コスト低減、PCB小型化
  • レベルシフト損失を50%低減
  • 優れた堅牢性とノイズ耐性
図
サポート