EVAL_1EDF_G1B_HB_GAN

この600V GaN (窒化ガリウム) ハーフブリッジ プラットフォームは、CoolGaN™トランジスタのセットアップおよびテストを容易かつ迅速に実現します。トポロジが汎用的であるため、ブーストまたはバック動作、パルス試験、または連続フルパワー動作を構成できます。CoolGaN™トランジスタおよびゲートドライバのスイッチング性能計測にあたっては、ボード上のテストポイントを使ってオシロスコープに信号を容易に接続できます。このボードをご利用いただけば、自分でゲートドライバやパワー回路を設計しなくても、GaN (窒化ガリウム) トランジスタを評価できます。

本ハーフブリッジ回路プラットフォームは、50Ωパルスジェネレータ接続用のPWM入力1個を備えています。本設計は、絶縁されたゲートドライバ電源も含めて、すべてが5V単一電源入力で駆動されています。ハイサイドとローサイド切替時のデッドタイムの初期値は、100nsに設定されていますが、トリムポットで調整可能です。外付けインダクタは、付属の着脱可能コネクタを使って接続できます。出力電圧およびバス電圧は、コンデンサ定格の制約により最大450Vとなっています。このハーフブリッジは、連続電流12Aおよびピーク電流35Aのハードスイッチングまたはソフトスイッチングが可能です。動作周波数は、トランジスタの放熱状況によりますが、数MHzまで対応可能です (適切なヒートシンクおよび空気流がある場合、デバイス1個当たり約15Wまで)。本システムソリューションはハードウェア ボードまたはリファレンスデザインで提供しています。

本ボードは、EVAL_1EDF_G1_HB_GANの後継品です。

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