REF-SIC-D2PAK-MC
概要
TO263-7パッケージに搭載された1200 V CoolSiC™ MOSFET用リファレンスボード
本リファレンスボードは、1200V CoolSiC™ MOSFET 評価プラットフォームのもう一つのドライブカードです。寄生ターンオンを防止するアクティブ ミラークランプ機能を備えたEiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC20I12MHを搭載しています。最初のドライブ カードには、VCC2 +15 V、GND2がマイナスのバイポーラ電源のEiceDRIVER™ 1ED Compact 1EDI20H12AHを搭載しています。
EiceDRIVER™ゲートドライバーICを搭載したCoolSiC™ MOSFET 1200 V評価プラットフォームは、TO263-7ピンのシリコンカーバイドCoolSiC™ MOSFETの駆動オプションを示すために開発されました。こうしたオプションを示すため、1つのマザーボードとSMD用の2つのドライブカードに分割された設計になっています。マザーボードのEVAL_PS_SIC_DP_MAIN設計は、最大電圧800V、最大パルス電流130Aになっています。
特長
- 1200V CoolSiC™ 炭化ケイ素 (SiC) トレンチMOSFET IMBG120R030M1H
- アクティブ ミラークランプ機能を備えた1EDC20I12MH
- コアレス絶縁ゲートドライバー
- 0 V ターンオフ ゲート電圧
- 絶縁金属基板 (IMS) の使用
- 全部品が表面実装デバイス (SMD)
利点
- きわめて低いスイッチング損失
- 業界標準となるゲートしきい値電圧、VGS(th) = 4.5V
- 転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード
- 最適化されたスイッチング性能のためのセンスピン
- 負のターンオフ電圧で寄生ターンオンを回避
図
サポート