F-RAM (強誘電体RAM)

インフィニオンのF-RAMメモリの主な特長

インフィニオンのF-RAMメモリソリューションは、次のような幅広い機能を提供します。 

• 遅延なしの書き込み : ソーク時間なしでバス速度でメモリ セルにデータを書き込みます。 
• 強誘電体メモリ製品は耐久性が高く、100兆回以上の書き込みサイクルを持ちフローティングゲートメモリよりも長持ちします。 
• 超低消費電力で、EEPROMより200倍、NORフラッシュより3000倍少ないエネルギーを消費します。
• 耐放射線性があり、ビットフリップを発生させる放射線によって引き起こされるソフトエラーの影響を受けません。

シリアルおよびパラレルF-RAMメモリソリューションの包括的なポートフォリオ

インフィニオンは、シリアルおよびパラレルF-RAM不揮発性メモリの包括的なポートフォリオを提供しています。 当社の標準F-RAMは、4 Kbから4 Mbの範囲の容量を提供しています。EXCELON™ は、インフィニオンの次世代F-RAMメモリです。 EXCELON™ F-RAMは、超低消費電力動作と高速インターフェース、瞬時不揮発性、無制限の読み取り/書き込みサイクル耐久性を組み合わせることにより、業界最小の電力不揮発性メモリを提供し、ポータブル医療機器、ウェアラブル、IoTセンサー、産業機器、および自動車アプリケーションに最適なデータロギングメモリになります。 これらは、2 Mbから16 Mbの範囲の容量で提供され、1.8 V〜3.6 Vの広い電圧範囲に加えて、1.71 V〜1.89 Vの動作電圧範囲をサポートします。

EXCELON™F-RAMの詳細をご覧ください 

強誘電体技術による高信頼性不揮発性メモリ

F-RAMメモリは強誘電体技術に基づいて設計されています。 F-RAMチップは、一般にPZTと呼ばれるチタン酸ジルコン酸鉛の薄い強誘電体膜を使用しています。 PZTの原子は電界中で極性を変化させ、電力効率の高い高いバイナリスィッチを生成します。しかし、PZTの最も重要な側面は、停電の影響を受けないことであり、F-RAMは信頼性の高い不揮発性メモリです。F-RAMの基礎となる動作原理とその独自のメモリセルアーキテクチャは、EEPROMやNORフラッシュなどの競合メモリ技術とは一線を画す特定の利点を提供します。

F-RAMと他の競合する不揮発性メモリの比較

業界で最も効率的な不揮発性メモリであるF-RAMは、競合するEEPROMおよびMRAMソリューションよりもはるかに少ないアクティブ電流で動作します。 これにより、F-RAMはウェアラブルや医療用埋め込み機器などのバッテリー駆動デバイスに適しています。

F-RAMは、消費電力が最も低いだけでなく、外部磁場の影響を受けないため、強い磁場にさらされた後でも書き換えが可能です。 

F-RAMは、100兆サイクルの事実上無制限の書き換え回数と瞬時の不揮発性により、いくつかのデータロギングアプリケーションでEEPROMやNORフラッシュなどの既存のメモリよりも優れています。