FM24CL64B-G High-Density 64kBit I²C F-RAM Memory Module | 1MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish
概要
FM24CL64B-G は高度な強誘電体プロセスを適用し た 64K ビット の不揮発性 メ モ リ です。 強誘電体 RAM (F-RAM) は、 不揮発性 であり、 RAM 同様に読み出し/書き込みを実行し ます。 また EEPROM と その他の不揮発性 メ モ リ による複雑さ、 オーバー ヘッ ド、 システム レベルの信頼性関連問題を回避し、 121 年間 にわた って信頼でき るデー タ保持ができます。 EEPROM と違って、FM24CL64B-G はバス速度で書き込み動作を 実行し ます。 書き込み遅延は発生し ません。 デー タは、 各バイ ト がデバイスに正常に転送された直後に メ モ リ アレイに書き 込まれます。 次のバス サイ クルはデー タ ポー リ ングを必要と せず開始できます。 また、 本製品は他の不揮発性 メ モ リ と比較 し て多 く の書き換え回数を提供し ています。 それに、F-RAM 書 き込み動作が書き込み回路用に内部で電源電圧を増加する こ と を必要と し ないため、書き込み中に F-RAM は EEPROM より消 費電力が低いです。FM24CL64B-G は 1013 回の読み出し/書き込 みサイ クル、 即ち EEPROM に比べ 1 千万の書き込みサイ クル に対応できます。
特長
- 8K×8 構成の 64K ビ ッ ト 強誘電体ラ ンダム アクセス メモリ (F-RAM)
- 高いア クセス可能回数: 100兆 (1013) 回の読み出し/書き込 み
- NoDelay™ 書き込み
- 高い信頼性がある強誘電体プロセス
- 高速 2 線式シ リ アル インターフ ェース (I2C)
- 低消費電力
- AEC Q100 グレード 1 準拠
サポート