Power
発電、送電、電力消費を最適化する技術
Power サブカテゴリー
全てのサブカテゴリーを閉じる 全てのサブカテゴリーを開く- MOSFET (Si/SiC)
- IGBT
- HEMT (GaN)
- インフィニオン スマート パワー スイッチ
- リニア電圧レギュレーター (LDO)
- DC-DC コンバーター
- LED driver IC
- ダイオードとサイリスタ (Si/SiC)
- ゲートドライバー IC
窒化ガリウムの導入により、シリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)の全電力技術の総合ラインアップを提供している企業は、現在インフィニオンのみです。インフィニオンは、優れたエネルギー効率で、マイクロアンプからメガワットまでのソリューションをご提供しています。高い信頼性を誇るIGBT、パワーMOSFET、GaNエンハンスメント・モードHEMT、パワーディスクリート、保護スイッチ、Siドライバー、GaNドライバー、IGBTモジュール、インテリジェントパワーモジュール(IPM)、リニアレギュレータ、モータ制御ソリューション、LEDドライバー、様々な種類のAC/DCコンバータ、DC/DCコンバータ、デジタルパワーコンバータなどです。
電力を管理するための優れたソリューションが必要なお客様は、ぜひインフィニオンのテクニカルサポート担当者までご連絡ください。
ゲートドライバー
IGBTおよびMOSFET用に高い信頼性と効率的な制御を実現する低/高耐圧ゲートドライバーICおよびボードソリューションです。インフィニオンのDC/DC低耐圧ゲートドライバーは、コンピューティング、テレコムPOLなどのアプリケーションに使用されるデュアルパワーMOSFET用の高速ドライバーで、設計者が指定する条件や要件に応じてシステム効率を調整します。CoolMOS™ MOSFET、IGBTディスクリート、また大部分の産業アプリケーションに使用可能なモジュール用の高性能絶縁ゲートドライバーICおよびボード(EiceDRIVER™)についても、ご覧ください。
ハイパワーサイリスタおよびダイオード
堅牢で高効率なサイリスタおよびダイオードは、電気駆動、電圧ソフトスタータ、汎用電源から複合エネルギーを使用するトランスミッションシステムまでの大電力アプリケーション向けに、Presspackまたはモジュール筐体でご提供しています。
IGBT
インフィニオンは、IGBTベアダイ、ディスクリート、モジュール、完全スタックなど、先端技術の幅広い製品ラインナップをご提供しています。この多彩なラインナップから、汎用インバータ、太陽光インバータ、風力インバータ、無停電電源装置(UPS)、溶接機、誘導加熱、SMPSシステムなどの産業用アプリケーション向けに、信頼性が高く、高効率なソリューションをお届けします。また、炊飯器、電子レンジ、IG調理器、エアコンなどの民生アプリケーションに、インフィニオンのIGBTをご使用することをお勧めします。車載用ディスクリートIGBTおよびモジュールは、ピエゾ素子燃料噴射、HID照明、ポンプ、小型駆動機器などのアプリケーションにご使用頂けます。
統合型電力段
DrMOSやDrBladeなどの高効率、高電力密度の電力段ソリューションの製品をご提供します。DrBladeは新しい超小型の統合型MOSFETハーフブリッジドライバで、画期的なチップ埋め込み技術「Blade」を使用しています。
MOSFET
インフィニオンは、車載用MOSFET、パワーMOSFET、RF MOSFETのMOSFET製品ラインナップを取り揃えています。車載アプリケーション向けOptiMOS™は、優れたMOSFET技術と堅牢なパッケージを組み合わせ、クラス最高の性能ときわめて高い電力容量をご提供します。電力アプリケーションでは、OptiMOS™ 20V~250Vが、優れたオン抵抗や性能指数(FOM)などの、電力システム向け設計の主要な製品仕様において、常に業界標準を打ち立てています。革新的な500V~900V CoolMOS™パワーファミリーは、エネルギー効率において新しい基準を打ち立てています。導通損失およびスイッチング損失を著しく低減し、高電力密度、優れた電力変換効率を実現しています。
炭化ケイ素 (SiC)
SiCデバイスは、一般的に使用されるシリコン(Si)に比べ、高耐圧パワー半導体にとって魅力的な多くの特性を持ちます。インフィニオンのCoolSiC™ ショットキーダイオード(600V~1200V)は、サーバー、テレコム、太陽光発電、照明、民生機器、PC電源、AC/DCコンバータなどのアプリケーション向けに、効率を向上させ、ソリューションコストを削減します。インフィニオンの最先端ソリューションである、革新的なCoolSiC™ 1200V SiC JFETファミリーは、直接駆動技術と組み合わせることにより、実設計の効率性をかつて達成しえなかった新レベルまで向上させました。SiCフリーホイーリングダイオードを備えた高効率IGBTパワーモジュールも選択可能
下記がTop6 FAQ です。その他のFAQについては、上の検索バーをご利用ください。
Where to find Simulation parameters & SPICE models?
Please visit our Simulation Model Finder on the internet at
https://www.infineon.com/simulation
Please select "Simulation Models (SPICE, S-parameters, SABER)"
If you cannot find your requested model there, please submit your request via the "click to request model" button on the right handed side.
Infineon uses only Spice and Saber models. These are a generally accepted standard that meets all simulation model requirements.
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What are the benefits of Gate Drive Control ICs?
The HVIC gate drive solution typically cuts down on component counts and PCB size by 50 percent compared to discrete solutions. These devices offer an improved immunity to voltage spikes and contribute to lower switching losses for the IGBTs and FETs. Fast switching times, under-voltage lockout protection, included deadtime are other advantages of these drivers.
Gate drive design compatibility of 600V and 1200V ICs reduces strongly the design time as the same basic circuit design and layout are re-used by just substituting the equivalent ICs.
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Can BTS5180 be used at 24V for an LED driver application?
BTS5180 has a nominal input voltage up to 28V. If the voltage will go higher, then move to BTT6100-2EKA or BTT6200-1EJA/ BTT6200-4EKA.
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What is the difference between TLE7181EM and TLE7182EM?
The main difference between the two devices is in the input types:
a) TLE7181EM uses the PWM/DIR interface and DRVDIS to disable all 4 MOSFETs: only two pins are needed and shoot-through event cannot happen by design.
PWM/DIR interface normal operation
b) on the other hand, TLE7182EM provides 4 independent control inputs to control the MOSFETs individually: the high-side MOSFET inputs are inverted to eventually simplify the connection wiring. Shoot-through events can be avoided if the short-circuit protection is activated by generating a minimum dead time by SCDL pin. TLE7182 offers the possibility to drive 4 low-side MOSFETs as well.
Truth table
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If any questions, please contact our hotline, https://www.infineon.com/call
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The best way to reach out to our Applications Engineers is through our Infineon Developer Community
Our Applications Engineers moderate the community to ensure all questions are answered quickly and accurately, either by others in the community or by our own engineers.
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How to find a Partner to support on SW, HW, dev tools and services?
Infineon’s global network of partners offer products and services that complement our semiconductor device solutions to accelerate your development efforts and time to market. You can find them here: https://www.infineon.com/partnerfinder.
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