AIDK12S65C5
概要
第5世代CoolSiC™車載ショトキーダイオードは、インフィニオンの最新SiC（シリコンカーバイド）ショットキーバリアダイオード技術を使っています。薄いウエハをベースにした小型デザインとテクノロジーにより本製品ファミリは、その熱的特性と低い性能指数（QcxVf）に起因するさまざまな負荷条件下での効率が改善されています。この製品ファミリは、インフィニオンのIGBTおよびCoolMOS™のラインアップを補完するように設計されています。これにより、650Vクラスの最も厳格なアプリケーション要件のほとんどを満足することができるようになりました。
特長
- 革新的な半導体材料―SiC（シリコンカーバイド）
- 業界標準のスイッチング特性
- 逆回復および順回復の考慮不要
- 温度非依存のスイッチング特性
- 高サージ電流特性
- 鉛フリーの端子メッキ、RoHS指令に準拠
- 接合部温度範囲：-40°C～175°C
- Siダイオードよりもシステム効率向上
- 冷却要件の緩和により省システムコスト／サイズ
- 高周波数動作が可能で電力密度を向上したソリューション
- 動作温度が低くなることによりシステム信頼性が向上
- EMIの低減
推奨アプリケーション例
- トラクションインバータ
- ブースタ/DCDCコンバータ
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