IDWD10G120C5

1200V、10AのCoolSiC™ショットキーダイオード第5世代は、一般的に使用されているバイポーラSiダイオードから簡単に置き換えられるように、2ピンのTO-247パッケージで供給中です。新パッケージの8.7mmの沿面距離および空間距離は、汚染度が高い環境においても、高い安全性を提供します。CoolSiC™ダイオードは、Si IGBTまたはスーパージャンクションMOSFETと使用することで、たとえば三相変換システムで使用される三相整流回路(Vienna rectifier)段やPFCブースト段において、CoolSiC™ダイオードに次いで高効率なSiダイオードよりも、効率を最大1%向上させます。これにより、PFCとDC-DC段の出力電力を、40%以上増加させることができます。わずかなスイッチング損失を除き、SiCショットキーCoolSiC™第5世代ダイオードの特長は、クラス最高の順方向電圧(VF)、また、温度上昇によるVF変化が少なく、突入電流耐性が高いことです。これにより、魅力的なコストポイントで、市場最高レベルの効率、およびシステムの高い信頼性を実現します。