GS61008P-TR きわめて高い効率と信頼性を実現したCoolGaN™トランジスタ 100 V G2

概要

GS61008P-TRは、エンハンスメント モードの GaN-on-Silicon パワー トランジスタです。GaNの特性により、大電流、低損失、高スイッチング周波数を実現します。 GGS61008P-TRは、GaNPX®パッケージの下面放熱型トランジスタで、ジャンクション-ケース間熱抵抗が非常に低く、DCDCコンバーター、モータ制御、再生可能エネルギーシステム、D級オーディオアンプなどの大電力アプリケーションに最適です。

特長

  • eモードHEMT: ノーマリーオフ
  • 超高速スイッチング
  • 逆回復電荷なし
  • 逆導通対応
  • 低ゲート電荷、低出力電荷
  • きわめて高い整流耐量
  • JEDEC規格準拠 (JESD47, JESD22)
  • 下面放熱
  • 逆回復損失なし
  • 高速で制御可能な立ち上がり/立ち下がり時間
  • RoHS 3 (6+4) 準拠

利点

  • システム効率の向上
  • 電力密度の向上
  • システムの軽量化
  • 動作周波数の高周波化
  • システムコストの削減
サポート