IGI60F1414A1L
概要
600V CoolGaN™ 集積パワーステージ (IPS)、高密度、高効率ソリューションを実現
IGI60F1414A1Lは、140mΩ (typ. RDS(on)) / 600 V エンハンスメント モード CoolGaN™ HEMT と専用ゲート ドライバーを小型 8x8mm QFN-28 パッケージに搭載したハーフブリッジ パワー ステージです。
このため、CoolGaN™パワースイッチの優れたスイッチング動作を利用した高密度AC-DC充電器およびアダプターの設計サポートに最適です。インフィニオンのCoolGaN™および関連パワースイッチは、きわめて堅牢なゲート構造を提供します。オン状態下、数mAの連続ゲート電流で駆動する場合、温度やパラメータの変動に関係なく、最小オン抵抗RDS(on)が常に保証されます。
本ドライバーは、オンチップ コアレス トランス技術 (CT) を利用し、ハイサイドへの信号レベルシフトを実現しています。さらに、CTは300V/nsを超える超高速スイッチング過渡に対しても堅牢性を保証します。
特長
- デジタルイン、パワーアウトのビルディングブロックによる絶縁デジタル入力
- アプリケーションで設定可能なスイッチング動作
- 高速、高精度、安定したタイミング
- 放熱性に優れたQFN-28パッケージ (8 x 8mm)
利点
- 2倍のデジタルPWM入力で制御が容易
- システムBOM削減
- シンプルなRCインターフェースによるゲートパスの完全設定可能
- システム効率を最大化するための短いデッドタイム設定が可能
- コンパクトなシステム設計用の小型パッケージ
推奨アプリケーション例
サポート