1ED020I12-B2
UL認証,アクティブ ミラークランプ、DESAT、短絡クランピングを備えた1200 Vシングルハイサイド ゲート ドライバーIC
EiceDRIVER™ は、DSO-16 ワイドボディパッケージに搭載された耐圧1200V 、2A (typ.) の出力電流能力を備えたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲートドライバーです。すべてのロジックピンは5V CMOS互換で、マイクロコントローラに直接接続することができます。1ED-B2は、コアレストランス テクノロジーにより、ガルバニック絶縁部をまたいだデータ転送を実現しています。1ED-B2は、IGBTのDESAT保護、アクティブミラークランプ、アクティブシャットダウンなどの保護機能を備えています。
特長
- シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC (1ED-SRC)
- 600V/1200V IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、ディスクリートおよびモジュール用
- 2 Aのレール ツー レール出力電流 (typ.)
- 精密なDESAT保護、VCEsat検出
- アクティブシャットダウンと短絡クランプ
- 28 V 絶対最大電源電圧(出力段)
- 170/165 ns 伝搬遅延 (typ.)
- 出力UVLO 12/11 V
- CMTI ≥ 100 kV/µs
- UL 1577に準拠し、VISO = 3750 Vを1秒間加えて絶縁試験を行っています
- VDE 0884-10 VIORM=1420 V, VIOTM=6000 Vによる基本的な絶縁テスト済み (規格は2019年12月31日に失効、製品およびテストは変更されていません)
利点
- 出力間のタイトな伝搬遅延マッチング：耐性により、経年変化、電流、温度による変動がなく、アプリケーションの堅牢性が向上
- 高精度なフィルターを内蔵することで、幅広い動作条件で伝搬遅延のばらつきを抑え、外付けフィルターの必要性を低減
- 出力間のタイトな伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムを最小限に抑え、システム効率の向上と高調波歪みの低減を実現
- 負および正のトランジェントに対するイミュニティ、最終製品の信頼性向上
- スイッチング周波数がMHz領域でも低電力損失を実現
Every switch needs a driver, and the right driver makes a difference.
Infineon offers different isoalted gate driver families, such as the EiceDRIVER™ Compact and the EiceDRIVER™ Enhanced. Each family has different features to protect the switch and application.
The EiceDRIVER™ isolated gate driver offers advanced features such as reinforced isolation, Miller clamp, slew rate control and short circuit protection to protect the switch and application. It also enables condition monitoring and rapid prototyping.
The EiceDRIVER™ is the perfect fit for industrial application, particular in combination with Infineon CoolSiC™ and IGBT switches.
- EiceDRIVER™絶縁ゲートドライバ ― ファミリーは、最先端のコアレス トランスフォーマー (CT) 絶縁技術を採用
- CTベースの絶縁型ゲートドライバーは、大電流、低消費電力、優れたCMTI、クラス最高の伝搬遅延マッチングを提供します。
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。
SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。
- EiceDRIVER™ Enhanced X3アナログ ファミリー (1ED34xx) 、DESAT (フィルタ時間調整可能)、ミラークランプ、ソフトオフ (電流レベル調整可能) 搭載
- 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、伝搬遅延マッチング最大30 ns、出力供給電圧最大40 V
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。
- EiceDRIVER™ X3デジタル ファミリー (1ED38xx)、DESAT、ソフトオフ、UVLO、ミラークランプ、2レベル ターンオフ (TLTO)の I2C設定機能を備えています。
- 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、30 ns Max. 伝搬遅延マッチング、40 V Max 出力電圧
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。
